脲基功能團(tuán)鎘離子表面印跡材料的合成及其吸附性能的研究
發(fā)布時(shí)間:2024-01-30 13:25
Cd(II)離子是五大劇毒重金屬之一,毒性很大。它被人體吸收后可導(dǎo)致痛痛病。離子印跡技術(shù)在處理和檢測(cè)重金屬污染方面有這廣闊的前景,通過離子印跡技術(shù)合成的離子印跡聚合物可以在從眾多的干擾離子中選擇性的吸附目標(biāo)重金屬離子Cd(II),達(dá)到去除Cd(II)的目的。本文以硅膠為支撐體,Cd離子為模版,γ-脲基丙基三甲氧基硅烷(UPTS)為硅烷偶聯(lián)劑和單體,環(huán)氧氯丙烷(ECH)為交聯(lián)劑合成了印跡材料Cd-UPTS/硅膠-ⅡP。以反應(yīng)溫度、Y-脲基丙基三甲氧基硅烷劑量、硅膠量、環(huán)氧氯丙烷劑量為合成的影響因素研究了不同合成條件對(duì)合成印跡材料接枝率的影響。研究表明在γ-脲基丙基三甲氧基硅烷(UPTS)的量為4.5 g,硅膠量為6 g, ECH為3.5 ml,反應(yīng)溫度為333 K時(shí)Cd-UPTS/硅膠-ⅡP的印跡接枝率最高為26%。用紅外光譜表征對(duì)在最佳條件下合成的Cd-UPTS/硅膠-ⅡP印跡材料和Cd-UPTS/硅膠-NIP非印跡材料進(jìn)行表征。紅外光譜圖表明,γ-脲基丙基三甲氧基硅烷被成功的接枝到硅膠表面,氨基參與了鎘離子配位反應(yīng)。對(duì)合成的印跡材料和非印跡材料進(jìn)行熱重分析,結(jié)果表明合成的印跡材料具有...
【文章頁數(shù)】:75 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 重金屬污染
1.1.1 重金屬污染來源
1.1.2 重金屬污染危害
1.1.3 重金屬污染現(xiàn)狀
1.2 重金屬治理方法
1.2.1 化學(xué)沉淀法
1.2.2 電解法
1.2.3 物理吸附法
1.2.4 膜處理法
1.2.5 生物修復(fù)法
1.2.6 離子印跡聚合物吸附法
1.3 分子印跡聚合物
1.3.1 分子印跡聚合物合成方法
1.3.2 分子印記聚合物在污水處理中的應(yīng)用
1.4 離子印跡聚合物
1.4.1 離子印跡聚合物的制備機(jī)理和吸附機(jī)理
1.4.2 離子印跡聚合物類型
1.4.3 離子印跡聚合物的制備方法
1.4.4 離子印跡聚合物的應(yīng)用
1.4.5 離子印跡聚合物性能研究
1.5 表面離子印跡分聚合物
1.5.1 表面離子印跡聚合物的發(fā)展
1.5.2 表面離子印跡聚合物應(yīng)用
1.5.3 表面離子印跡聚合物的制備方法
1.5.4 表面印跡制備材料的選擇
1.6 本課題研究意義和內(nèi)容
第二章 Cd離子印跡聚合物的合成及其儀器與試劑
2.1 實(shí)驗(yàn)儀器
2.2 實(shí)驗(yàn)藥劑
2.3 反應(yīng)裝置
2.4 Cd-UPTS/硅膠-IIP的合成方法
2.5 印跡材料和非印跡材料的表征
2.5.1 印跡材料和非印跡材料紅外光譜表征
2.5.2 印跡材料和非印跡材料熱重分析
第三章 Cd離子印跡聚合物合接枝率的研究
3.1 硅膠活化溫度影響的研究
3.2 不同合成條件Cd(Ⅱ)表面印跡材料的接枝率
3.2.1 γ-脲基丙基三甲氧基硅烷(UPTS)劑量的影響
3.2.2 硅膠量的影響
3.2.3 環(huán)氧氯丙烷劑量的影響
3.2.4 反應(yīng)溫度的影響
3.3 本章小結(jié)
第四章 Cd-UPTS/硅膠-IIP的性能表征
4.1 Cd-CTS/硅膠-IIP的紅外光譜表征
4.2 印跡材料的熱重分析
4.3 本章小結(jié)
第五章 Cd(Ⅱ)表面印跡材料對(duì)重金屬Cd離子吸附的研究
5.1 不同UPTS量合成Cd-UPTS/硅膠-IIP吸附性能研究
5.2 不同硅膠量合成Cd-UPTS/硅膠-IIP吸附性能研究
5.3 不同交聯(lián)劑ECH量合成Cd-UPTS/硅膠-IIP吸附性能研究
5.4 不同溫度合成Cd-UPTS/硅膠-IIP吸附性能研究
5.5 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論與建議
6.1 結(jié)論
6.2 建議
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及研究成果
本文編號(hào):3890239
【文章頁數(shù)】:75 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 重金屬污染
1.1.1 重金屬污染來源
1.1.2 重金屬污染危害
1.1.3 重金屬污染現(xiàn)狀
1.2 重金屬治理方法
1.2.1 化學(xué)沉淀法
1.2.2 電解法
1.2.3 物理吸附法
1.2.4 膜處理法
1.2.5 生物修復(fù)法
1.2.6 離子印跡聚合物吸附法
1.3 分子印跡聚合物
1.3.1 分子印跡聚合物合成方法
1.3.2 分子印記聚合物在污水處理中的應(yīng)用
1.4 離子印跡聚合物
1.4.1 離子印跡聚合物的制備機(jī)理和吸附機(jī)理
1.4.2 離子印跡聚合物類型
1.4.3 離子印跡聚合物的制備方法
1.4.4 離子印跡聚合物的應(yīng)用
1.4.5 離子印跡聚合物性能研究
1.5 表面離子印跡分聚合物
1.5.1 表面離子印跡聚合物的發(fā)展
1.5.2 表面離子印跡聚合物應(yīng)用
1.5.3 表面離子印跡聚合物的制備方法
1.5.4 表面印跡制備材料的選擇
1.6 本課題研究意義和內(nèi)容
第二章 Cd離子印跡聚合物的合成及其儀器與試劑
2.1 實(shí)驗(yàn)儀器
2.2 實(shí)驗(yàn)藥劑
2.3 反應(yīng)裝置
2.4 Cd-UPTS/硅膠-IIP的合成方法
2.5 印跡材料和非印跡材料的表征
2.5.1 印跡材料和非印跡材料紅外光譜表征
2.5.2 印跡材料和非印跡材料熱重分析
第三章 Cd離子印跡聚合物合接枝率的研究
3.1 硅膠活化溫度影響的研究
3.2 不同合成條件Cd(Ⅱ)表面印跡材料的接枝率
3.2.1 γ-脲基丙基三甲氧基硅烷(UPTS)劑量的影響
3.2.2 硅膠量的影響
3.2.3 環(huán)氧氯丙烷劑量的影響
3.2.4 反應(yīng)溫度的影響
3.3 本章小結(jié)
第四章 Cd-UPTS/硅膠-IIP的性能表征
4.1 Cd-CTS/硅膠-IIP的紅外光譜表征
4.2 印跡材料的熱重分析
4.3 本章小結(jié)
第五章 Cd(Ⅱ)表面印跡材料對(duì)重金屬Cd離子吸附的研究
5.1 不同UPTS量合成Cd-UPTS/硅膠-IIP吸附性能研究
5.2 不同硅膠量合成Cd-UPTS/硅膠-IIP吸附性能研究
5.3 不同交聯(lián)劑ECH量合成Cd-UPTS/硅膠-IIP吸附性能研究
5.4 不同溫度合成Cd-UPTS/硅膠-IIP吸附性能研究
5.5 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論與建議
6.1 結(jié)論
6.2 建議
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及研究成果
本文編號(hào):3890239
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