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耦合共軛聚合物改性在光催化技術(shù)中的研究進(jìn)展

發(fā)布時間:2022-01-01 02:35
  綜述了耦合共軛聚合物的改性方法以及在光催化材料中的應(yīng)用。主要介紹了聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚氯乙烯衍生物及聚酰亞胺等共軛聚合物在光催化中的應(yīng)用和改性方法研究,并展望了未來光催化技術(shù)領(lǐng)域的研究方向。指出耦合共軛聚合物是一種高效且具有良好前景的光催化劑,改性措施相對于傳統(tǒng)的貴金屬沉積、元素?fù)诫s以及復(fù)合半導(dǎo)體等改性方法具有結(jié)構(gòu)可調(diào)變、價格低廉和原材料豐富的優(yōu)點,對于光催化技術(shù)的大規(guī)模推廣應(yīng)用具有促進(jìn)作用。 

【文章來源】:應(yīng)用化工. 2020,49(09)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

耦合共軛聚合物改性在光催化技術(shù)中的研究進(jìn)展


ZnO耦合PI光催化機(jī)理圖

光催化,機(jī)理,空穴,電子


窄禁帶寬度的光催化劑能夠響應(yīng)可見光,但有較高的電子空穴復(fù)合概率,耦合共軛聚合物能夠有效抑制光生電子空穴的重組。以Bi2MoO6與聚苯胺(PANI)的耦合來說明光催化機(jī)理(見圖2)。Bi2MoO6與PANI均具有較窄的帶隙寬度,在可見光下均能產(chǎn)生活性。兩者耦合后由于PANI與Bi2MoO6存在能級差,PANI的LUMO能級的電子轉(zhuǎn)移至Bi2MoO6的導(dǎo)帶,Bi2MoO6的空穴轉(zhuǎn)移至PANI的HOMO能級,從而抑制了兩者的電子空穴對的復(fù)合,增強(qiáng)了光催化活性[24]。2 常用于光催化改性的共軛聚合物

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]二氧化鈦基Z型光催化劑綜述(英文)[J]. 戚克振,程蓓,余家國,Wingkei Ho.  催化學(xué)報. 2017(12)
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[3]ZnO/CdS復(fù)合光催化劑的制備及降解四環(huán)素類抗生素[J]. 葉林靜,安小英,姜韻婕,閆超,關(guān)衛(wèi)省.  化工進(jìn)展. 2015(11)

博士論文
[1]共軛聚合物半導(dǎo)體光催化材料的研制及構(gòu)效關(guān)系研究[D]. 儲升.南京大學(xué) 2013

碩士論文
[1]TiO2高效可見光催化劑的構(gòu)建及其應(yīng)用研究[D]. 程黎.江蘇大學(xué) 2017



本文編號:3561479

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