【摘要】：通過單靶一步濺射再退火的方法,在鈉鈣玻璃及鍍鉬玻璃襯底上制備了銅銦硒(CIS)薄膜。通過優(yōu)化工藝參數(shù),獲得了結晶性良好的CIS薄膜,分析了濺射沉積薄膜時襯底溫度及不同退火溫度對薄膜結晶性的影響。研究發(fā)現(xiàn),襯底溫度為150℃時,退火獲得的CIS薄膜結晶性最好;不同的退火溫度對Mo襯底上的CIS薄膜結晶性影響不大。結果表明,靶材的致密度對CIS薄膜性能有較大的影響,說明一步法制備CIS薄膜對靶材有較高的質量要求。

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