本文關(guān)鍵詞： 薄膜 PECVD 高反膜 損傷閾值　出處：《應(yīng)用激光》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法制備氮化硅(SiNx)和含氟氧化硅(SiOxFy)薄膜,探討了薄膜材料的最佳制備工藝參數(shù),明確了薄膜光學(xué)特性與氣體流量、射頻功率、反應(yīng)壓強(qiáng)等制備工藝參數(shù)的關(guān)系;設(shè)計(jì)并制備了1 064nm高反射膜,并與PVD法制備的Ta_2O_5/SiO_2高反膜進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果表明,其反射率在99.0%左右時(shí),PECVD法制備的高反膜具有較高的抗激光損傷閾值,約為PVD法的2倍。
[Abstract]:silicon nitride ( sinx ) and fluorine - containing silicon oxide ( SiOxFy ) films were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition ( PECVD ) . The optimum technological parameters of thin film materials were discussed .

【作者單位】： 西安工業(yè)大學(xué)光電工程學(xué)院;陜西省薄膜技術(shù)與光學(xué)檢測(cè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：陜西省教育廳重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室科研計(jì)劃資助項(xiàng)目(項(xiàng)目編號(hào):16JS037)
【分類號(hào)】：O484

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 胡立瓊;陳強(qiáng);葛袁靜;;PEO-Like Functional Films' Polymerization in RF-PECVD[J];Plasma Science and Technology;2006年05期

2 何寶華;楊仕娥;陳永生;盧景霄;;Simulation of gas phase reactions for microcrystalline silicon films fabricated by PECVD[J];Optoelectronics Letters;2011年03期

3 陳長(zhǎng)琦;趙晶晶;汪洪波;王君;;輔助PECVD的磁場(chǎng)模擬計(jì)算與分析[J];真空;2010年02期

4 ;Study on PECVD SiO_2 /Si_3 N_4 double-layer electrets with different thicknesses[J];Science China(Technological Sciences);2011年08期

5 ;Characteristics of Amorphous Silicon Nitride Films Deposited by LF-PECVD from SiH_4/N_2[J];Semiconductor Photonics and Technology;2009年03期

6 王慶;巴德純;馮健;;Diagnosis of the Argon Plasma in a PECVD Coating Machine[J];Plasma Science and Technology;2008年06期

7 侯國(guó)付;耿新華;張曉丹;孫建;張建軍;趙穎;;Evolution of infrared spectra and optical emission spectra in hydrogenated silicon thin films prepared by VHF-PECVD[J];Chinese Physics B;2011年07期

8 屈盛;毛和璜;韓增華;曹曉寧;周春蘭;王文靜;張興旺;;硅烷氨氣比對(duì)PECVD氮化硅薄膜性能的影響[J];陽光能源;2011年06期

9 李思淵 ,張旗 ,王毓珍 ,張同軍;PECVD Si_3N_4膜構(gòu)成MNOS結(jié)構(gòu)的退火行為[J];蘭州大學(xué)學(xué)報(bào);1987年01期

10 ;Studies on Wear and Corrosion Resistances of Carbon Nitride Thin Films on Ti Alloy[J];Wuhan University Journal of Natural Sciences;2003年03期

相關(guān)會(huì)議論文 前7條

1 ;SiH Interacting with Si surface and Formation of Hydrogenated Silicon Films:MD study[A];第十四屆全國(guó)核物理大會(huì)暨第十屆會(huì)員代表大會(huì)論文集[C];2010年

2 徐翔;馮杰;王友年;;中性氣體流動(dòng)對(duì)PECVD放電過程的影響[A];第十五屆全國(guó)等離子體科學(xué)技術(shù)會(huì)議會(huì)議摘要集[C];2011年

3 郝俊英;徐洮;李紅軒;劉維民;劉惠文;;PECVD制備a-C:H:N薄膜的微觀結(jié)構(gòu)研究[A];第十三屆全國(guó)電子顯微學(xué)會(huì)議論文集[C];2004年

4 楚信譜;茍偉;李劍鋒;張禮平;李國(guó)卿;;脈沖輝光PECVD制備DLC薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究[A];TFC'07全國(guó)薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2007年

5 宋平;連潔;高尚;李萍;王曉;吳仕梁;馬崢;;PECVD法生長(zhǎng)SiO_2薄膜工藝優(yōu)化[A];中國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)2010年光學(xué)大會(huì)論文集[C];2010年

6 李振軍;徐洮;李紅軒;郝俊英;周惠娣;陳建敏;;DC—RF—PECVD制備DLC薄膜的摩擦學(xué)性能研究[A];甘肅省化學(xué)會(huì)成立六十周年學(xué)術(shù)報(bào)告會(huì)暨二十三屆年會(huì)論文集[C];2003年

7 孫運(yùn)金;桑利軍;陳強(qiáng);張軍峰;張躍飛;;PECVD法低溫沉積高阻隔SiOx薄膜[A];第十三屆全國(guó)等離子體科學(xué)技術(shù)會(huì)議論文集[C];2007年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 李林軍;PECVD技術(shù)制備1064nm高反膜[D];西安工業(yè)大學(xué);2014年

2 黃發(fā)彬;PECVD制備雙陷波濾光片[D];西安工業(yè)大學(xué);2016年

3 龔勛;PECVD制備大角度減反膜[D];西安工業(yè)大學(xué);2016年

4 李幼真;PECVD法制備含氟碳膜工藝及機(jī)理研究[D];中南大學(xué);2002年

5 陳明文;PECVD生長(zhǎng)類金剛石薄膜的電學(xué)性質(zhì)研究[D];廈門大學(xué);2008年

6 鄧興漢;非晶硅鍺薄膜PECVD法制備與特性研究[D];暨南大學(xué);2010年

7 鄧其明;PECVD氮化硅薄膜的制備工藝及仿真研究[D];電子科技大學(xué);2010年

8 劉昊軒;PECVD制備光學(xué)薄膜均勻性控制技術(shù)研究[D];西安工業(yè)大學(xué);2014年

9 潘德芳;PECVD制備DLC薄膜的表面形貌和光學(xué)特性研究[D];重慶師范大學(xué);2011年

10 馮仁華;PECVD法制備本征/摻硼納米非晶硅薄膜及其性能研究[D];浙江大學(xué);2007年

，

本文編號(hào)：1507901