隨著工藝技術(shù)的進(jìn)步,短溝道效應(yīng)、源漏電荷分享等對器件的影響越來越嚴(yán)重,平面工藝的限制日趨明顯。FinFET技術(shù)相對于平面技術(shù)有更高的速度,更低的功耗,立體結(jié)構(gòu)使得特征尺寸的進(jìn)一步降低成為可能,是納米尺度器件的理想工藝選擇。SOI（Silicon On Insulator）即絕緣體上硅在業(yè)界已出現(xiàn)多年,與傳統(tǒng)體硅工藝相比,具有功耗低、速度快、集成度高、抗瞬時(shí)輻照能力強(qiáng)、無閂鎖效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)。SOI FinFET結(jié)合了SOI工藝與FinFET結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn),由于良好的隔離效果以及優(yōu)秀的柵控能力,SOI FinFET在抗輻照領(lǐng)域具有很大的發(fā)展?jié)摿�。由于單純通過工藝方法實(shí)現(xiàn)抗輻照加固存在成本過高的問題,綜合利用晶體管級、系統(tǒng)級加固方法可以在有效降低加固成本的同時(shí)提高電路整體的加固效果。本文主要研究輻照效應(yīng)中的單粒子效應(yīng),器件的單粒子效應(yīng)會在其輸出端產(chǎn)生脈沖電流,該電流會造成邏輯電路的軟錯(cuò)誤。本文利用Sentaurus TCAD軟件對SOI FinFET器件的單粒子效應(yīng)進(jìn)行研究分析,對比同一輻照條件下單鰭與雙鰭FinFET的單粒子響應(yīng)以及同一器件不同輻照條件下的單粒子響應(yīng)。利用Sentaurus TCA... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
符號對照表
縮略語對照表
第一章 緒論
    1.1 抗輻照研究意義
    1.2 輻照環(huán)境介紹
    1.3 器件工藝發(fā)展
        1.3.1 平面工藝的限制
        1.3.2 非平面工藝
    1.4 器件的輻照效應(yīng)
        1.4.1 總劑量效應(yīng)
        1.4.2 單粒子效應(yīng)
        1.4.3 SOI器件及其輻照效應(yīng)
    1.5 單粒子效應(yīng)對邏輯電路的影響
    1.6 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.7 本文主要研究內(nèi)容
第二章 FinFET單粒子效應(yīng)及其仿真
    2.1 影響單粒子效應(yīng)的因素
    2.2 器件仿真基礎(chǔ)
    2.3 FinFET單粒子效應(yīng)仿真方法
    2.4 利用Sentaurus進(jìn)行混合仿真
    2.5 本章小結(jié)
第三章 SOI FinFET單粒子特性仿真
    3.1 FinFET器件模型的建立
    3.2 FinFET單粒子效應(yīng)仿真
        3.2.1 不同LET值
        3.2.2 不同入射位置
        3.2.3 不同漏端電壓
        3.2.4 不同溫度
    3.3 本章小結(jié)
第四章 反相器及組合電路的單粒子效應(yīng)
    4.1 反相器電路及其單粒子效應(yīng)
    4.2 抗單粒子加固的反相器結(jié)構(gòu)
    4.3 單粒子效應(yīng)的系統(tǒng)級加固
    4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 研究總結(jié)
    5.2 研究展望
參考文獻(xiàn)
致謝
作者簡介



本文編號：3371693