根據(jù)管式PECVD設(shè)備反應(yīng)室的環(huán)形進(jìn)氣方式和平面進(jìn)氣方式建立了幾何模型,并進(jìn)行了三維流場(chǎng)數(shù)值仿真分析,然后根據(jù)仿真結(jié)果對(duì)反應(yīng)室結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。數(shù)值仿真對(duì)PECVD設(shè)備反應(yīng)室結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)及工藝調(diào)試具有重要的指導(dǎo)意義。 

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【文章目錄】：
0 引言
1 反應(yīng)室結(jié)構(gòu)
2 建立仿真模型
    2.1 模型簡(jiǎn)化
    2.2 參數(shù)設(shè)置
    2.3 流場(chǎng)仿真結(jié)果對(duì)比分析
3 反應(yīng)室結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)
    3.1 尾端端面法蘭進(jìn)氣結(jié)構(gòu)優(yōu)化
    3.2 反應(yīng)室前端結(jié)構(gòu)優(yōu)化
    3.3 結(jié)構(gòu)優(yōu)化后的效果
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]PECVD腔室熱流場(chǎng)數(shù)值仿真研究[J]. 夏煥雄,向東,牟鵬,姜崴,葛研,王麗丹.  人工晶體學(xué)報(bào). 2012(04)
[2]生產(chǎn)型管式PECVD設(shè)備[J]. 宋玲,劉愷,楊彬,陳必雄.  電子工業(yè)專用設(shè)備. 2005(11)
[3]PECVD淀積氮化硅薄膜性質(zhì)研究[J]. 王曉泉,汪雷,席珍強(qiáng),徐進(jìn),崔燦,楊德仁.  太陽(yáng)能學(xué)報(bào). 2004(03)



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