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空間電荷水平分布對(duì)閃電行為影響的數(shù)值模擬研究

發(fā)布時(shí)間:2021-07-07 23:54
  雷暴云空間電荷結(jié)構(gòu)及內(nèi)部電荷分布對(duì)閃電放電的影響一直是大氣電學(xué)領(lǐng)域的一個(gè)重要方向,電荷垂直結(jié)構(gòu)的變化對(duì)閃電放電的影響已經(jīng)取得較為突出的研究成果,但是其內(nèi)部的電荷水平分布尚缺乏相關(guān)的觀測(cè)資料和理論研究。為了定量探究雷暴云內(nèi)電荷水平分布形式對(duì)閃電行為的影響,本文采用數(shù)值模擬方法,建立典型雷暴云垂直電荷結(jié)構(gòu)模型,引入控制電荷水平分布形式的函數(shù),利用改進(jìn)的隨機(jī)放電參數(shù)化方案,開展二維高分辨率(12.5m)模擬試驗(yàn)。為了消除雷暴云垂直電荷結(jié)構(gòu)變化及閃電放電隨機(jī)性的影響,本文主要設(shè)置了三套方案進(jìn)行敏感性試驗(yàn),各部分主要結(jié)論如下:(1)典型三極性雷暴云(含屏蔽層)電荷結(jié)構(gòu)下,控制上部正電荷區(qū)、中部負(fù)電荷區(qū)的電荷總量相等,分別改變內(nèi)部電荷的水平分布形式。結(jié)果表明,上部正電荷區(qū)電荷水平分布由密集不均勻變?yōu)閱我痪鶆驎r(shí),閃電類型由正地閃向正極性云閃再向負(fù)地閃變化,最后變?yōu)檎龢O性云閃。中部負(fù)電荷區(qū)電荷水平分布趨于均勻時(shí),閃電類型由負(fù)地閃向正極性云閃再向正地閃變化,最后變?yōu)檎龢O性云閃。電荷水平分布對(duì)閃電先導(dǎo)傳播有重大影響,電荷分布密集不均勻時(shí),先導(dǎo)在電荷高密度中心發(fā)展,分布單一均勻時(shí),先導(dǎo)在水平方向延伸十幾至二... 

【文章來源】:南京信息工程大學(xué)江蘇省

【文章頁(yè)數(shù)】:65 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

空間電荷水平分布對(duì)閃電行為影響的數(shù)值模擬研究


圖2.2兩次雷暴過程的雷達(dá)數(shù)據(jù)和閃電定位研宄結(jié)果??另外,為了使模擬出的閃電更加接近真實(shí)閃電的空間形態(tài),本文在二維笛卡爾坐標(biāo)??立,76kmx2〇km,

電荷分布,雷暴云,電荷結(jié)構(gòu),電荷


三個(gè)發(fā)展階段:初始階段、成熟階段和消散階段。對(duì)于這樣的雷暴單體而言,典型的三??極性電荷結(jié)構(gòu)能很好地描述其主要電荷區(qū)的電荷分布及其放電特征。此外,很多學(xué)者在??觀測(cè)一些較強(qiáng)的單體雷暴中對(duì)觀測(cè)結(jié)果進(jìn)行了模型簡(jiǎn)化―,如圖2.2所示:??-13??p?裏I?f?"?'%?,一?"?、?\??。?+?+?+?+?++++?+?+?+?+??I?-;2ftCK? ̄20C:?一?...??m?7?rmmm?wamm??<?-lftc?-ior?一寺?i〇c????ec?or?+??+?+?\?,?+?++?t??2,Vi.CM)04()?射?JO?0110?糊?ward??Cell?A:?-CGs?Cell?A?ealMpm,?^\y?cdi?B?Ctil?B;?-CGs??妗?Few??riS??^??*?■**??mm?mmn?imm?mum?<mm???wmtv?????<wm>??”卜?il、'.-,?_?.一?-稱.…一?'?—一??jf?,++?+?++?s,?+?+?+-丄(:+?+?++?+??i;“7一?十::省廣?丄?-HK-???,?4.?+??十十?'?nt'+?'?BC?+:★氣....??235k働?22?纖竭22?謝22?twiward??Cdl?.4:?tio?Cf?s?Cel!?I5t?-CCIs?C"e4I?AB:?some?-CGs??圖2.2兩次雷暴過程的雷達(dá)數(shù)據(jù)和閃電定位研宄結(jié)果??另外

星形線,分布曲線,高斯分布,豎軸


荷總量起主導(dǎo)作用。0是(2.9)式中控制電荷區(qū)電荷密度分布范圍和中心位置參數(shù)。(2.10)??式表示電荷區(qū)電荷密度呈高斯分布,(2.11)式表示電荷區(qū)電荷密度呈變換星形線分布,??其中的1是控制密度變化速率的參數(shù),取值范圍是0.550?1.950。圖2.4顯示了兩種??函數(shù)對(duì)應(yīng)的分布曲線(雷暴云內(nèi)部各個(gè)電荷E電荷密度分布由中心到邊緣的變化趨勢(shì))。?? ̄?一*高斯分布?|??I:'?——變換星形分布i??I?\?\?\?\??\?\?X、\?\?\?\??、\^^\、、、'、、\?\?'??入=0.5500?%>C、\?\??I?-——.??0?電荷分布范圍〇??圖2.4兩種函數(shù)的對(duì)應(yīng)分布曲線??圖中紅色粗線表示高斯分布,藍(lán)色細(xì)線表示變換星形線分布U取值不同時(shí)具有不同的分布曲線),豎軸對(duì)應(yīng)的是電??荷密度大小,橫軸對(duì)應(yīng)的是電荷分布范圍,0表示電荷區(qū)的正中心。??在電荷結(jié)構(gòu)模型及其內(nèi)部電荷密度分布確立后,利用泊松方程(2.12)求解模擬域??中每個(gè)格點(diǎn)上的空間電位值,然后通過(2.13)式、(2.14)式可求得各個(gè)格點(diǎn)上的電場(chǎng)??強(qiáng)度。將此電荷模型生成的電場(chǎng)作為放電模式的背景場(chǎng),當(dāng)某個(gè)點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到2.1.1??節(jié)所介紹的初始擊穿閾值時(shí),則可啟動(dòng)一次閃電,完成該電荷分布下的閃電放電模擬。??V2cp?=-^?(2.12)??£??Ex?=-鯉,Ez?=-^?(2.13)??x?dx?z?dz??Et?=?J(E2X?+?Ez2)?(2.14)??上式中


本文編號(hào):3270614

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