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納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)光陰極的設(shè)計(jì)、制備與催化制氫性能研究

發(fā)布時(shí)間:2020-05-12 08:38
【摘要】:氫氣被公認(rèn)為是一種理想的綠色清潔能源,自1972年Fujishima和Honda首次利用TiO2吸收太陽光催化分解水制氫以來,通過光電化學(xué)分解水的方法利用可再生的太陽能制氫就一直備受矚目。硅作為一種價(jià)格低廉、儲(chǔ)量豐富的半導(dǎo)體材料,具有吸光范圍廣、載流子擴(kuò)散距離長等優(yōu)勢(shì),在光電極的制備中備受矚目。而通過微納加工手段在硅上制備納米結(jié)構(gòu)陣列使其具有減反特性,可以有效提高電極對(duì)光的吸收效率,同時(shí)增大與電解液的接觸面積,從而提高光電化學(xué)分解水的效率。本文通過納米壓印技術(shù)制備了具有納米孔陣列結(jié)構(gòu)的硅襯底,并引入了納米金環(huán)陣列和Ti02層構(gòu)建了一種納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列,用于催化分解水制氫。由于所涉及的制備工藝均為可重復(fù)、可控的微納加工技術(shù),我們可以制備出具有精確結(jié)構(gòu)參數(shù)、尺寸單一可控的納米結(jié)構(gòu)陣列。我們首先通過納米壓印、反應(yīng)離子刻蝕制備出具有孔陣結(jié)構(gòu)的硅襯底,而后通過濺射鍍膜在硅襯底上鍍上均勻包覆的金層,再用離子束刻蝕去除掉水平表面上的金層,僅留下側(cè)壁上的金層形成內(nèi)嵌的金環(huán)陣列。金環(huán)緊貼硅孔側(cè)壁垂直于硅襯底平面的設(shè)計(jì)可以盡可能地減少普通金屬納米結(jié)構(gòu)因覆蓋于硅襯底平面而造成的曝光面積的損失,從而減少由于金屬對(duì)光的反射、散射造成的光吸收損失。我們通過理論模擬對(duì)所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能進(jìn)行了研究,同時(shí)可以通過可控的制備流程對(duì)結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行精準(zhǔn)調(diào)控,使其與理論模型盡可能一致,以理論模擬來合理指導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。通過理論分析,可知引入的納米金環(huán)陣列在光照條件下可以激發(fā)局域表面等離激元共振效應(yīng),在金環(huán)頂部產(chǎn)生大量的“熱電子”。金環(huán)與Ti02層之間會(huì)形成肖特基結(jié),集中于金環(huán)頂部的熱電子可以越過肖特基勢(shì)壘,躍遷至Ti02的導(dǎo)帶上,從而在光電催化水分解過程中參與析氫反應(yīng)。所制備的納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列在光電化學(xué)測試過程中,展現(xiàn)出優(yōu)秀的催化制氫性能。其中性能最好的樣品具備0.32 VRHE的開啟電勢(shì),最大光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)13.3%。同時(shí),在電催化與光電催化過程的共同作用下,樣品具備優(yōu)異的制氫速率,在-1VRHE的偏壓下催化制氫時(shí)的電流密度可達(dá)50mA/cm2。穩(wěn)定性測試的結(jié)果表明所制備樣品催化制氫過程中具有穩(wěn)定的產(chǎn)氫速率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論模擬的預(yù)測有著很好的匹配度,由此,我們分析了所制備納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)在催化制氫過程中的工作機(jī)理,證明其能夠帶來高效的載流子產(chǎn)生、分離與傳輸過程,從而優(yōu)化電極的光電化學(xué)性能。本文所設(shè)計(jì)與制備的此種新穎的納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列,展現(xiàn)了優(yōu)秀的催化制氫性能,或許能夠?qū)χ笸ㄟ^結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與合理的材料利用來提升光催化制氫性能的工作有所啟發(fā)。
【圖文】:

示意圖,光電化學(xué),催化分解,原理


1.2.1光電化學(xué)分解水的原理逡逑1972年Fujishima與Honda在《Nature》上發(fā)表了利用Ti02光電極分解水制逡逑氫的工作[7],開啟了科研人員對(duì)光解水的關(guān)注和研究。圖1.1結(jié)合Fujishima與逡逑Honda的工作[12],對(duì)通過半導(dǎo)體材料分解水的過程及原理進(jìn)行了介紹。其中,光逡逑電化學(xué)分解水過程的總反應(yīng)為:逡逑1逡逑H20邋h2邋+邋 ̄02逡逑Ti02作為反應(yīng)的光陽極,表面會(huì)發(fā)生析氧反應(yīng),反應(yīng)過程如下:逡逑?邋1邋+逡逑H20邋+邋2h+邋-^-02邋+邋2H+逡逑而Pt對(duì)電極作為反應(yīng)的光陰極,,表面會(huì)發(fā)生析氫反應(yīng),反應(yīng)過程如下:逡逑2H+邋+邋2e ̄邋->邋H2逡逑如圖1.1所展示的反應(yīng)機(jī)理,作為工作電極的Ti02吸光后,電子將從價(jià)帶上逡逑被激發(fā)到導(dǎo)帶上,并被傳輸?shù)綄?duì)電極上發(fā)生析氬反應(yīng);而留下的空穴在導(dǎo)帶上,逡逑將會(huì)在工作電極表面發(fā)生析氧反應(yīng),從而構(gòu)成整個(gè)光催化分解水的過程。逡逑e邋?逡逑A邐 ̄ ̄邐B逡逑Jyj邐Light邐/.....e.逡逑I邋:邐|邐*邐丨逡逑^o^vbJ邋I邐w逡逑Storking邋Counter邐-邐逡逑electrode邐electrode邐Semicooductor逡逑圖1.1光電化學(xué)催化分解水原理示意圖[12]逡逑1.2.2光電化學(xué)分解水的電極材料逡逑光催化分解水對(duì)于電極材料的禁帶寬度有所要求。我們知道

析氧反應(yīng),價(jià)帶,半導(dǎo)體材料,電位


在半導(dǎo)體材料的禁帶寬度符合要求的條件下,還需半導(dǎo)體的導(dǎo)帶電位高于氬逡逑電極電位,而價(jià)帶電位低于氧電極電位。這種情況下,導(dǎo)帶上的光生電子才能有逡逑效地傳輸?shù)轿鰵浞磻?yīng)中,價(jià)帶上的光生空穴才能傳輸?shù)轿鲅醴磻?yīng)中。如圖1.2所逡逑1邐示,Ti02就是一種典型的符合要求的材料,其帶隙約3.0eV,導(dǎo)帶電位略正于氫逡逑電極電位,價(jià)帶電位負(fù)于氧電極電位,因而是比較理想的光解水材料。逡逑但是,寬的帶隙使得半導(dǎo)體材料只能吸收較低波長的光,無法有效利用可見逡逑光中的許多部分。為了解決這種矛盾,可以通過運(yùn)用一些窄帶的光電化學(xué)電極材逡逑料,在外加電壓的作用下完成光催化水分解反應(yīng)。例如,有許多半導(dǎo)體材料,導(dǎo)逡逑帶電位高于氬電極電位,且價(jià)帶電位低于氬電極電位并高于氧電極電位,這樣的逡逑材料具有還原水析l+的能力而沒有析氧的能力,如p型硅等。研究發(fā)現(xiàn),這種材逡逑料可以用來制備用于析氫反應(yīng)的光電化學(xué)陰極
【學(xué)位授予單位】:南京大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TB383.1;TQ116.2;TQ426

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5 鄭有p

本文編號(hào):2659950


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