宇宙空間的輻射環(huán)境由復雜的混合粒子構成,中子在宇宙空間粒子輻射中占有十分重要的地位。而碳化硅(SiC)作為第三代半導體,因其禁帶寬度大,熱導率高,電子飽和漂移速度快、臨界擊穿場強高及抗輻射能力強等優(yōu)點,使其制備的核輻射探測器具有體積小、耐高溫高壓、可在大輻射通量環(huán)境下工作等特點。同時PIN器件因其靈敏區(qū)厚度大,使其可承受更大的輻射強度及更高的反向偏壓。所以本文設計并制作了 4H-SiC的PIN結型器件,主要研究工作如下。本文所選擇的SiC基底是在360μm低阻SiC單晶上外延了 20μm高阻SiC層的復合結構。采用蒸發(fā)溶劑法在高阻SiC外延層表面涂覆B2O3后,將樣品在氧氣氛圍中,經(jīng)過 650℃(30min)-1250℃(60min)-1450℃(30min)(以下簡稱 1250℃樣品)及 650℃(30min)-1450℃(60min)-1450℃(30min)(以下簡稱1450℃樣品)階梯熱處理。首先對B擴散摻雜后樣品表面殘留氧化硼去除進行研究。通過金相顯微鏡分析發(fā)現(xiàn),化學清洗后基底表面仍有顆粒狀殘留物存在,機械拋光后表面殘留物基本去除。其次對1250℃和1450℃樣品的成分及形貌...

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【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1SiC結構的雙層Si-C鍵示意圖

碳化硅的硼熱擴散摻雜及器件研制6于使信噪比增加，從而探測更小的信號電流。同時碳化硅較高的熱導率使其在散熱方面更有優(yōu)勢，降低因器件發(fā)熱而對探測的干擾。所以第三代半導體正逐步取代第一代半導體，被廣泛應用于輻射探測等高科技行業(yè)中。1.3碳化硅中子探測器的研究現(xiàn)狀1.3.1碳化硅材料的基....

圖2.1核反沖原理示意圖

大連理工大學碩士學位論文11圖2.1核反沖原理示意圖Fig.2.1Schematicdiagramofnuclearrecoilprinciple在核反沖法中，若反沖核的起始動能越大，在測量時也越精準。俘獲截面隨中子能量的變化曲線越平滑，即在坐標系中越遵循1/V定律。根據(jù)式2-1....

圖2.5直接交換方式示意圖

大連理工大學碩士學位論文171利用晶格空位擴散在替位式雜質(zhì)原子的擴散機理中，如圖2.5、2.6所示，主要有兩種擴散方式：直接交換法和空位交換法。在這兩種擴散方式中，空位交換法所需的激活能較低，因此施主雜質(zhì)或受主雜質(zhì)原子利用空位進行交換是比較容易的，所以雜質(zhì)原子的擴散可認為是晶格空....

圖2.6空位交換方式示意圖

大連理工大學碩士學位論文171利用晶格空位擴散在替位式雜質(zhì)原子的擴散機理中，如圖2.5、2.6所示，主要有兩種擴散方式：直接交換法和空位交換法。在這兩種擴散方式中，空位交換法所需的激活能較低，因此施主雜質(zhì)或受主雜質(zhì)原子利用空位進行交換是比較容易的，所以雜質(zhì)原子的擴散可認為是晶格空....

本文編號：3973252