托卡馬克放電實(shí)驗(yàn)中經(jīng)常會出現(xiàn)破裂現(xiàn)象，具體表現(xiàn)為熱能和磁能急劇損失，等離子體電流迅速衰減。破裂的危害主要體現(xiàn)在三個(gè)方面：熱沉積、電磁力和逃逸電子。目前已經(jīng)找到有效的方法來緩解前兩種危害，如大量氣體注入和彈丸注入等，但對于未來的反應(yīng)堆量級的裝置來說始終沒有有效的方法來完全抑制逃逸電子。在電流猝滅階段，等離子體電流很容易轉(zhuǎn)化為高能逃逸電子束，這會對裝置的安全運(yùn)行造成嚴(yán)重的威脅。因此，逃逸電子的行為研究以及圍繞破裂進(jìn)行的物理實(shí)驗(yàn)研究是十分有意義的。 逃逸電子撞擊到限制器上會發(fā)生厚靶韌致輻射產(chǎn)生高能硬X射線(HXR)。根據(jù)逃逸電子行為研究的需要，J-TEXT上建立了Na(ITl)閃爍探測器陣列來測量0.5¹0MeV的HXR。陣列包含5個(gè)探測器，均置于托卡馬克赤道面上。其中3個(gè)探測器分別為前向(迎著電子)、徑向和背向的布局方式，剩下的沒有經(jīng)過準(zhǔn)直的兩個(gè)探測器探測中平面上的輻射�；谶@套探測陣列和其他診斷系統(tǒng)，J-TEXT托卡馬克上開展了一系列與逃逸電子和破裂相關(guān)的實(shí)驗(yàn)。 研究了磁擾動(dòng)對逃逸電子輸運(yùn)的影響。由于對磁擾動(dòng)敏感，逃逸電子經(jīng)常被當(dāng)作研究磁擾動(dòng)的探針。實(shí)驗(yàn)中產(chǎn)生磁擾動(dòng)...

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
1 緒論
    1.1 可控核聚變與托卡馬克
    1.2 等離子體破裂的研究意義
    1.3 逃逸電子的研究意義
    1.4 本論文的研究意義和內(nèi)容安排
2 托卡馬克中的逃逸電子理論
    2.1 高溫等離子體中的輻射
    2.2 逃逸電子的產(chǎn)生機(jī)制
3 硬 X 射線診斷系統(tǒng)
    3.1 硬 X 射線診斷系統(tǒng)的構(gòu)成
    3.2 硬 X 射線診斷系統(tǒng)的布局
    3.3 硬 X 射線診斷系統(tǒng)的實(shí)際操作
4 磁擾動(dòng)對逃逸電子輸運(yùn)的影響
    4.1 等離子體位移實(shí)驗(yàn)
    4.2 RMP 對逃逸電子輸運(yùn)的影響
    4.3 小結(jié)
5 等離子體電流猝滅特征研究
    5.1 電流猝滅分析方法
    5.2 快電流猝滅
    5.3 慢電流猝滅
    5.4 電流猝滅分析
    5.5 小結(jié)
6 等離子體主動(dòng)關(guān)斷實(shí)驗(yàn)的研究
    6.1 GP 送氣下 J-TEXT 托卡馬克上的主動(dòng)關(guān)斷實(shí)驗(yàn)
    6.2 SMBI 送氣下 J-TEXT 托卡馬克上的主動(dòng)關(guān)斷實(shí)驗(yàn)
    6.3 小結(jié)
7 破裂時(shí)逃逸電流平臺的研究
    7.1 逃逸電流的產(chǎn)生閾值
    7.2 逃逸電子的抑制
    7.3 小結(jié)
8 總結(jié)和展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄 1 攻讀學(xué)位期間發(fā)表論文目錄



本文編號：3968273