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基于LaBr 3 (Ce)雙層閃爍晶體的軟X射線探測(cè)方法研究

發(fā)布時(shí)間:2023-10-06 14:32
  LaBr3(Ce)是一種新型閃爍體探測(cè)材料,這種新型探測(cè)材料比NaI(Tl)晶體具有更高的能量分辨率,其能量分辨率接近于CZT探測(cè)器,又因其大體積而有高探測(cè)效率。該探測(cè)器還具有比如高閃爍光輸出,短衰減時(shí)間等優(yōu)點(diǎn)。由于其良好的性能和易用性,目前成為核輻射探測(cè)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。在ST401塑料閃爍體前端配置薄膜LaBr3(Ce)晶體的雙層閃爍探測(cè)器對(duì)軟X射線探測(cè)特性研究方面,本文主要采用蒙特卡羅程序模擬的方法并且計(jì)算前端LaBr3(Ce)晶體厚度處于微米量級(jí)和毫米量級(jí)情況下,對(duì)其探測(cè)效率的影響。在確定前端LaBr3(Ce)晶體的合適厚度后,改變閃爍體的半徑從而來(lái)選擇合適的閃爍體尺寸來(lái)探測(cè)軟X射線。模擬計(jì)算結(jié)果表明:前端LaBr3(Ce)晶體的厚度為微米量級(jí)時(shí),前端LaBr3(Ce)晶體吸收的光子數(shù)與ST401塑料閃爍體吸收的光子數(shù)相比,并沒(méi)有絕對(duì)的數(shù)量級(jí)優(yōu)勢(shì)。此時(shí)進(jìn)入到ST401閃爍體內(nèi)的光子數(shù)是不可以忽略的;前端LaBr3(Ce)晶體的厚度為毫米量級(jí)并且為9 mm,同時(shí)X射線源能量為10-100 keV的情況下,LaBr3(Ce)晶體吸收的光子數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于后端ST401塑料閃爍體吸收的光子數(shù)...

【文章頁(yè)數(shù)】:50 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題背景及研究意義
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.3 本論文的主要內(nèi)容
第2章 閃爍體探測(cè)器的基本理論及其探測(cè)方法
    2.1 引言
    2.2 閃爍體的分類
        2.2.1 無(wú)機(jī)閃爍體
        2.2.2 有機(jī)閃爍體
    2.3 X射線與物質(zhì)的三種相互作用
        2.3.1 光電效應(yīng)
        2.3.2 康普頓散射
        2.3.3 電子對(duì)效應(yīng)
        2.3.4 三種效應(yīng)的比較與總結(jié)
    2.4 X射線的探測(cè)方法
        2.4.1 閃爍探測(cè)器的基本工作原理
        2.4.2 符合方法
    2.5 LaBr3(Ce)晶體與ST401塑料閃爍體的光譜特性
第3章 LaBr3(Ce)閃爍探測(cè)器的X射線探測(cè)性能研究
    3.1 引言
    3.2 蒙特卡羅方法簡(jiǎn)介
    3.3 MCNP4C程序
        3.3.1 MCNP4C輸入文件
        3.3.2 核數(shù)據(jù)來(lái)源
        3.3.3 MCNP4C程序運(yùn)行結(jié)構(gòu)
    3.4 點(diǎn)源X射線探測(cè)效率的基礎(chǔ)知識(shí)
        3.4.1 探測(cè)效率
        3.4.2 影響探測(cè)效率的因素
    3.5 模型的建立
    3.6 結(jié)果分析
        3.6.1 前端LaBr3(Ce)晶體的厚度為微米量級(jí)
        3.6.2 前端LaBr3(Ce)晶體的厚度為毫米量級(jí)
        3.6.3 前端LaBr3(Ce)晶體的不同半徑
    3.7 CsI(Na)的探測(cè)效率模擬計(jì)算
    3.8 本章小結(jié)
第4章 總結(jié)與展望
    4.1 總結(jié)
    4.2 展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文
致謝



本文編號(hào):3851885

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