基于中國(guó)聚變工程實(shí)驗(yàn)堆(CFETR)水冷陶瓷增殖劑(WCCB)三維中子學(xué)模型,應(yīng)用蒙特卡羅輸運(yùn)程序MCNP5和IAEA聚變?cè)u(píng)價(jià)核數(shù)據(jù)庫(kù)FENDL2.1,完成了WCCB中子學(xué)性能分析。研究了在200MW、500MW、1.0GW、1.5GW聚變功率下中子壁載荷(NWL)、氚增殖率(TBR)、核熱沉積以及包層材料的輻照損傷。結(jié)果顯示,目前WCCB包層核分析結(jié)果滿(mǎn)足CFETR設(shè)計(jì)要求。

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【文章目錄】：
1 引言
2 水冷包層更新設(shè)計(jì)
3 分析模型、材料和程序
4 分析結(jié)果
    4.1 中子壁載荷
    4.2 氚增殖率
    4.3 核熱沉積
    4.4 輻照損傷
5 總結(jié)



本文編號(hào)：3804193