沸騰工況下汽泡可視化實驗研究
【學位單位】:哈爾濱工程大學
【學位級別】:碩士
【學位年份】:2019
【中圖分類】:TM623
【部分圖文】:
的新氣泡產(chǎn)生一定的影響,他們將氣泡的生成過制、雙周期成對區(qū)制(指前一個氣泡和后面一個、雙周期合并區(qū)制(指前一個氣泡在新生成的氣泡、三周期區(qū)制和混沌區(qū)制等。者們對水下小孔氣泡生成模型的研究,除了模型現(xiàn)象相關的實驗和理論研究。因為氣泡生成過程不同學者把氣泡從水下小孔生成到氣泡脫離小孔[8]利用圖 1 所示實驗裝置研究了孔徑為 0.054mm,他們通過所得實驗結(jié)果根據(jù)氣泡形態(tài)的變化將的整個過程分為四個階段,分別是:生長階段、建宇[9]研究了孔徑大于 1mm 的水下小孔氣泡生成分析過界面平衡和氣泡受力平衡條件后他認為氣段和脫離階段等三個階段。
(a) (b)圖 1.2 實驗結(jié)果與汽泡脫離直徑模型預測值比較圖[34-35]Van Stralen et al.[37]建立了一個適用于純流體的汽泡的等待周期和生長周期之間的關系式,即其等待周期約等于三倍的生長周期。汽泡的生長速度也是汽泡動力學的一個主要參數(shù),它的定義為汽泡的尺寸改變與時間的比值,它還與 Staniszewski[33]和 Cole & Shulman[38]給出的氣泡脫離直徑有關。汽泡生長速度也和雅各布數(shù)、熱耗散率的二分之一次方以及時間的二分之一次方存在潛在聯(lián)系[39-41]。Mikic & Rohsenow[42], Van Stralen & Sluyter[43]和 Copper[44]分別提出了跟汽泡的等待周期、生長周期和普朗特數(shù)有關的汽泡生長模型。Mikic[45]等在認為加熱表面上生成的汽泡是球形的情況下,提出了單一液體工質(zhì)中汽泡生長速度預測的關系式,并且他們還假設了蒸汽壓力與溫度之間滿足Clausius-Clapeyron 方程的線性解析關系,蒸汽的密度保持恒定等。接下來,Zhao[46]等在認為加熱壁面上生成的汽泡為半球形的情況下,通過解微液
率預測關系式。之后,陸續(xù)有學者研究了單氣泡、聚合氣泡、高熱流密度飽和池沸騰情況下產(chǎn)生的氣泡以及混合流體工質(zhì)池沸騰產(chǎn)生的汽泡的脫離頻率,研究結(jié)果表明:隨著熱流密度加大汽泡的脫離頻率和脫離直徑都會增加。但是目前所建立的理論模型還不能夠準確的預測汽泡的脫離頻率。通過上述研究發(fā)現(xiàn),避免的熱流密度、壁面過熱度及液體工質(zhì)的過冷度都會對沸騰工況下的氣泡生成現(xiàn)象產(chǎn)生影響,所以在實驗過程中還應該對這些因素進行研究。研究學者[57-59]發(fā)現(xiàn):隨著壁面熱流密度的增加,汽泡的脫離頻率、運動速度、汽化核心密度會增加,而汽泡的脫離直徑、等待周期、生長周期會減少。Siedel[60]等通過研究發(fā)現(xiàn):在低壁面熱流密度工況下,光滑和粗糙表面的汽泡脫離直徑無明顯差別;然而,在高壁面熱流密度工況下,光滑表面的汽泡脫離直徑相對較大。還有一些科研人員[57, 61, 62]通過實驗研究發(fā)現(xiàn),隨著壁面過熱度增加,汽泡的脫離直徑、脫離頻率、等待周期和汽化核心密度會增加,而汽泡的生長周期會減小。另外有研究人員[63]發(fā)現(xiàn)增加過冷度會使汽泡生長周期增加,汽泡的脫離直徑和脫離頻率減小。
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本文編號:2865367
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