CFETR氦冷固態(tài)包層熱工水力分析及優(yōu)化
【學(xué)位單位】:合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2015
【中圖分類】:TL64
【部分圖文】:
磁約束托克馬克裝置圖
-氦冷陶瓷包層設(shè)計目的主要是驗證中國示范聚變堆(DEMO)的氖增殖技術(shù)。氦冷固態(tài)包層的設(shè)計要求如下:包層模塊的整體結(jié)構(gòu)、技術(shù)要求、安全分析等必須滿足CFETR的總體要求;包層系統(tǒng)設(shè)計合理可行并達(dá)到系統(tǒng)氣增殖要求;冷卻劑的選擇及冷卻系統(tǒng)的設(shè)計能實現(xiàn)高品質(zhì)熱量的獲得和利用;包層冷卻結(jié)構(gòu)設(shè)計要能及時移除表面熱流和體核熱,使整個包層系統(tǒng)的溫度和應(yīng)力控制在允許的限度內(nèi);包層設(shè)計過程中所用到的設(shè)計工具,包括中子學(xué)計算、電磁計算、熱工水力計算及結(jié)構(gòu)計算的數(shù)據(jù)結(jié)果均需反復(fù)校驗。2.1包層系統(tǒng)描述HCPB包層系統(tǒng)主要由增殖包層(增殖氖,沉積熱等)和屏蔽包層(屏蔽磁體上的快中子通量及核熱等)兩部分組成;其他輔助系統(tǒng)包括包層支撐系統(tǒng);氣提取系統(tǒng)(移除氣,控制和處理);氦冷系統(tǒng)(熱轉(zhuǎn)移,熱交換);冷卻劑凈化系統(tǒng)(氦凈化);增殖包層遠(yuǎn)程控制系統(tǒng)(遠(yuǎn)程控制關(guān)聯(lián)到整個包層系統(tǒng))等。包層在真空室內(nèi)的位置如圖2.1所示。增殖包層通過柔性支撐和一系列鍵和鍵槽固定在支撐背板上,支撐背板通過螺栓安裝于屏蔽包層,屏蔽包層直接安裝在真空室內(nèi)壁。
面一周布置了 10個模塊,其中1-5號為Inboard模塊、6-10為Outboard模塊,1-5號模塊環(huán)向32塊,6-10號模塊環(huán)向56塊,總計440塊包層模塊,如圖2.2所示。^^1 }圖2.2包層模塊總體分布圖Figure2.2 Integration of general blanket module2.2包層模塊設(shè)計如圖2.3,HCPB包層模塊由U形第一壁、蓋板、背板、格板、增殖單元等結(jié)構(gòu)組成;其設(shè)計特點如下:第一壁、上下蓋板、背板構(gòu)成封閉的包層盒體空間,第一壁是包層結(jié)構(gòu)直接面對等離子體的部件,多個背板組成不同的分流腔體,包層盒體內(nèi)部由環(huán)徑向格板構(gòu)成了增殖單元空間,陶瓷增殖劑和中子倍增劑以小球的形式包含在該空間內(nèi),環(huán)徑向格板煌接在包層盒體的前壁和側(cè)壁;包層盒體結(jié)構(gòu)由8MPa的氦氣冷卻,入口溫度為30(rC,出口溫度為50(rC;增殖區(qū)和鈹區(qū)產(chǎn)生的氣由氖提取系統(tǒng)提取,提氣氣體為He+0.1%H2
【參考文獻(xiàn)】
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