基于CMOS的輻射劑量及二維分布探測器設計研究
【學位授予單位】:河南師范大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2014
【分類號】:TL81
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
目錄
第一章 緒論
1.1 課題研究背景與意義
1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.2.1 常見輻射探測器介紹
1.2.2 輻射探測器的發(fā)展趨勢
1.3 論文的創(chuàng)新點
1.4 論文內(nèi)容及結構安排
第二章 BP 神經(jīng)網(wǎng)絡在函數(shù)逼近中的應用
2.1 BP 神經(jīng)元及網(wǎng)絡模型
2.2 BP 網(wǎng)絡的學習
2.3 BP 神經(jīng)網(wǎng)絡在函數(shù)逼近中的應用
2.3.1 LM 算法
2.3.2 BFGS 算法
2.4 本章小結
第三章 系統(tǒng)硬件電路設計
3.1 探測器件選擇
3.1.1 CCD 圖像傳感器
3.1.2 CMOS 圖像傳感器
3.1.3 CCD 與 CMOS 的比較
3.2 系統(tǒng)總體結構設計
3.3 本章小結
第四章 系統(tǒng)軟件設計
4.1 灰度分析方法
4.2 系統(tǒng)設計
4.3 CCS 軟件開發(fā)平臺
4.4 本章小結
第五章 實驗結果與分析
5.1 CMOS 對單光子γ放射源的灰度響應
5.2 累積劑量探測
5.2.1 累積劑量探測方法
5.2.2 不同能量累積劑量探測
5.3 放射源二維分布成像
5.4 輻射損傷分析
5.5 功能實現(xiàn)
5.5.1 外觀設計
5.5.2 具體實施例
5.6 本章小結
第六章 結語
6.1 論文工作總結
6.2 進一步研究工作
參考文獻
致謝
攻讀學位期間的研究成果
【參考文獻】
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本文編號:2835053
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