碳化硅基包覆型核燃料顆粒的氧化行為和熱導性能研究
發(fā)布時間:2020-08-07 23:27
【摘要】:TRISO(tristructural-isotropic)型包覆燃料顆粒(簡稱TRISO顆粒)是專門為高溫氣冷核反應堆設計的新型燃料,由于其優(yōu)異的安全性和高效率,從而受到世界各國的廣泛關注。TRISO顆粒由核芯燃料及表層疏松熱解碳層(Buffer)、內(nèi)致密熱解碳層(IPyC)、碳化硅層(SiC)和外致密熱解碳層(OPyC)組成,其直徑約為~1 mm。TRISO顆粒作為燃料元件的基本組成單元,主要功能是約束燃料和放射性裂變產(chǎn)物,同時有效地傳導核裂變釋放的熱量。因此,無論在正常運行工況下,還是在事故條件下,TRISO顆粒的服役狀態(tài)關系到反應堆的安全運行。在高溫氣冷反應堆正常運行工況下,TRISO顆粒的溫度可達~1200℃。然而,在復雜的服役條件下,特別是發(fā)生進氣/進水事故工況時,TRISO顆粒中SiC層的高溫氧化行為和斷裂強度將降低其阻擋裂變產(chǎn)物釋放的能力。同時,TRISO顆粒包覆層的熱導率決定了TRISO顆粒內(nèi)部的溫度分布,進而影響熱能導出效率,甚至導致TRISO顆粒的失效等。因此,設計新型燃料包覆體系以滿足反應堆更高溫度和更高燃耗的需求是TRISO顆粒未來發(fā)展的重大挑戰(zhàn)。本文主要研究內(nèi)容和進展如下:首先,針對TRISO顆粒在進氣/進水事故工況下的安全性,本文對TRISO顆粒中SiC層在大氣和水蒸氣環(huán)境中分別進行了900℃~1400℃的氧化實驗。與大氣氧化相比,水蒸氣的存在促進了非晶態(tài)SiO_2向晶態(tài)SiO_2的轉(zhuǎn)變。隨著氧化的進行,SiO_2結晶和晶相轉(zhuǎn)變等變化導致SiO_2層中形成裂紋,甚至發(fā)生剝落。SiO_2層結構的破壞進一步加快了SiC的氧化速率,導致SiO_2層內(nèi)孔洞和碳的形成。SiC在大氣中遵循線性-拋物線的氧化規(guī)律。然而,在水蒸氣中,SiC的氧化規(guī)律在高于1200℃時發(fā)生由線性-拋物線規(guī)律向拋物線規(guī)律的轉(zhuǎn)變。氧化速控步驟為氧氣或水蒸氣分子在氧化層中的擴散。SiC層的斷裂強度和Weibull模量隨著氧化溫度的升高而顯著降低,主要取決于SiC層外半徑與厚度的比值。其次,為分析TRISO顆粒在高溫環(huán)境中運行的熱效率和安全性,本文首次提出采用拉曼光譜法研究TRISO顆粒包覆層的熱導率;诩す饧訜嵩,利用拉曼激光既作為激發(fā)源又作為加熱源,建立了拉曼光譜法測熱導的三維模型,并深入分析了光斑尺寸、激光探測區(qū)域和激光吸收率等因素。經(jīng)計算可得Buffer層、IPyC層和OPyC層的熱導率分別為8.9±0.2 W/m·℃,13.9±1.5 W/m·℃和11.9±0.9 W/m·℃。低織構PyC層熱導率的差異主要取決于其微觀結構,如孔隙度、碳顆粒尺寸和缺陷密度等。采用Matlab軟件模擬激光熱效應可得到激光在SiC材料中的三維熱影響區(qū)域遠遠超出了TRISO顆粒中SiC層的范圍。因此,鄰近的PyC層會限制SiC層中熱流的傳導。此外,影響SiC層熱導率測量的因素還有激光在SiC中的熱效應不明顯和探測區(qū)域較大等。最后,為進一步提高TRISO顆粒在更高燃耗和更高溫度下的運行安全性,本文基于SiC優(yōu)異的熱導性能和抗輻照性能,設計了新型SiC基包埋TRISO顆粒元件(FCM)。采用放電等離子體燒結(SPS)法制備FCM元件,并系統(tǒng)研究了SPS工藝對SiC和FCM的微觀結構、力學性能和熱導率的影響。SPS能實現(xiàn)短時間內(nèi)快速燒結,從而減輕了高溫燒結過程的熱效應對TRISO顆粒微觀結構和性能等的影響。在FCM制備過程中,TRISO顆粒中OPyC層與SiC基體界面發(fā)生氧化反應,生成的氣體產(chǎn)物導致在SiC基體中形成多孔SiC區(qū)域。基于Maxwell-Eucken模型可得含OPyC層/不含OPyC層的TRISO顆粒的有效熱導率分別為14.4 W/m·℃和25.2 W/m·℃。采用Comsol multiphysics軟件模擬FCM中熱流場分布可知,SiC層的熱導率對TRISO顆粒的有效熱導率起決定性作用,然而OPyC層和OPyC/SiC界面缺陷會阻礙熱流流經(jīng)SiC層,導致FCM的熱導率降低。相比于含OPyC層的TRISO顆粒,當FCM中包埋不含OPyC層的TRISO顆粒時,SiC層與SiC基體的界面結合緊密,并且具有較高的熱導率。本文揭示了SiC層在高溫大氣/水蒸氣中的氧化機制以及對SiC層斷裂強度的影響;建立了拉曼光譜法測量熱導率的三維模型,實現(xiàn)了對TRISO顆粒包覆層熱導率的表征,為分析TRISO顆粒在進氣/進水事故條件下的使用安全性和熱傳導效率等提供了理論指導。在此基礎上,結合TRISO顆粒本征安全性和SiC材料高熱導率和抗輻照等特性,設計了新型FCM燃料,并對SPS法制備的FCM和TRISO顆粒的熱導率進行了系統(tǒng)研究。新型FCM燃料具有較好的事故安全性,對促進TRISO顆粒適用于更高溫度和更高燃耗的先進反應堆具有重大意義。
【學位授予單位】:上海交通大學
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TL27
【圖文】:
圖 1-1 從第一代到第四代核能系統(tǒng)的發(fā)展歷程[15]Fig. 1-1 The development of nuclear system from generation I to generation IV[15]圖 1-2 高溫氣冷反應堆系統(tǒng)示意圖[13]Fig. 1-2 The schematic of the high temperature gas cooled reactor system[13]
2圖 1-2 高溫氣冷反應堆系統(tǒng)示意圖[13]Fig. 1-2 The schematic of the high temperature gas cooled reactor system[13 1-2 為高溫氣冷反應堆系統(tǒng)示意圖。高溫氣冷反應堆(HTR)采瓷燃料元件,化學惰性和熱工性良好的氦氣作為冷卻劑,耐高為慢化劑和堆芯結構材料,從而使反應堆擺脫了金屬包殼材料度的限制,避免了堆芯燃料元件熔化和放射性裂變產(chǎn)物泄漏等世界上各種反應堆中最安全的一種堆型[2, 3, 16]。高溫氣冷反應堆口溫度可達 950 ℃,發(fā)電效率達 45%~50%,大大提高了核能利
起核能界的廣泛關注,除我國建成的 10 MW 模塊式高溫氣以外[20],美國、德國和日本等國都在積極開展商用高溫氣冷21-23]。料元件的發(fā)展氣冷反應堆的燃料元件采用石墨材料基體,主要分為球形燃料元件兩種基本類型,如圖 1-3 所示,分別適用于不同堆芯冷反應堆[24, 25]。燃料元件的主要功能為:(1) 保護中心燃料傳送燃料球的過程中對球表面造成碰撞和磨損,致使燃料區(qū)傷;(2) 將燃料顆粒釋放的熱量傳導給冷卻劑氦氣,并慢化) 阻擋裂變產(chǎn)物向外擴散[26]。通過控制高溫氣冷反應堆的堆率等關鍵因素,限制燃料元件在正常運行工況下的溫度為工況下溫度不會超過 1600 ℃的設計限值,從而保證燃料元裂變產(chǎn)物釋放的能力[27-29]。
本文編號:2784673
【學位授予單位】:上海交通大學
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TL27
【圖文】:
圖 1-1 從第一代到第四代核能系統(tǒng)的發(fā)展歷程[15]Fig. 1-1 The development of nuclear system from generation I to generation IV[15]圖 1-2 高溫氣冷反應堆系統(tǒng)示意圖[13]Fig. 1-2 The schematic of the high temperature gas cooled reactor system[13]
2圖 1-2 高溫氣冷反應堆系統(tǒng)示意圖[13]Fig. 1-2 The schematic of the high temperature gas cooled reactor system[13 1-2 為高溫氣冷反應堆系統(tǒng)示意圖。高溫氣冷反應堆(HTR)采瓷燃料元件,化學惰性和熱工性良好的氦氣作為冷卻劑,耐高為慢化劑和堆芯結構材料,從而使反應堆擺脫了金屬包殼材料度的限制,避免了堆芯燃料元件熔化和放射性裂變產(chǎn)物泄漏等世界上各種反應堆中最安全的一種堆型[2, 3, 16]。高溫氣冷反應堆口溫度可達 950 ℃,發(fā)電效率達 45%~50%,大大提高了核能利
起核能界的廣泛關注,除我國建成的 10 MW 模塊式高溫氣以外[20],美國、德國和日本等國都在積極開展商用高溫氣冷21-23]。料元件的發(fā)展氣冷反應堆的燃料元件采用石墨材料基體,主要分為球形燃料元件兩種基本類型,如圖 1-3 所示,分別適用于不同堆芯冷反應堆[24, 25]。燃料元件的主要功能為:(1) 保護中心燃料傳送燃料球的過程中對球表面造成碰撞和磨損,致使燃料區(qū)傷;(2) 將燃料顆粒釋放的熱量傳導給冷卻劑氦氣,并慢化) 阻擋裂變產(chǎn)物向外擴散[26]。通過控制高溫氣冷反應堆的堆率等關鍵因素,限制燃料元件在正常運行工況下的溫度為工況下溫度不會超過 1600 ℃的設計限值,從而保證燃料元裂變產(chǎn)物釋放的能力[27-29]。
【參考文獻】
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本文編號:2784673
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