瞬變電磁法是地質(zhì)探測(cè)中廣泛應(yīng)用的有效方法。利用瞬變電磁法通過(guò)階躍電流產(chǎn)生一次磁場(chǎng),分析地下導(dǎo)體感應(yīng)的二次磁場(chǎng)的頻譜進(jìn)而實(shí)現(xiàn)地質(zhì)探測(cè)。通過(guò)仿真并實(shí)物搭建了電磁發(fā)射系統(tǒng)的整流、逆變電路,完成了雙極性脈沖電流的輸出,并分析了開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷時(shí)刻電壓尖峰的產(chǎn)生過(guò)程。通過(guò)更換直流母線測(cè)試了開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷時(shí)其兩端電壓尖峰的變化,通過(guò)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析不同連接方式對(duì)尖峰的影響。由于疊層母排具有低電感特性,通過(guò)研究不同因素對(duì)疊層母排雜散電感的影響,設(shè)計(jì)了一套疊層母排來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管電壓尖峰的抑制。為了進(jìn)一步提高發(fā)射源功率密度、降低緩沖吸收電路的要求,研究直流母線的設(shè)計(jì)與優(yōu)化,具有良好的應(yīng)用價(jià)值。

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【部分圖文】：

圖1三相橋式整流電路

如圖1所示,本文采用三相橋式整流電路,整流二極管選擇FR607,屬性為快恢復(fù)整流二極管;電容選用耐壓等級(jí)100V、容值為2200μF的電解電容。當(dāng)不同橋臂的上下各有一個(gè)二極管導(dǎo)通時(shí),直流側(cè)電壓為線電壓的最大值。當(dāng)二極管導(dǎo)通時(shí),直流側(cè)電壓同時(shí)向電容和負(fù)載供電;當(dāng)二極管不導(dǎo)通時(shí)....

圖2發(fā)射橋電路設(shè)計(jì)圖

電磁發(fā)射機(jī)的發(fā)射橋電路如圖2所示,拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為全橋逆變電路。該電路采用MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件,具體型號(hào)為IRF540N,其內(nèi)部有寄生反向二極管用以續(xù)流。2.1.3控制系統(tǒng)

圖3PWM輸出波形

控制系統(tǒng)使用單片機(jī)STM32F103C8T6的最小系統(tǒng)板,應(yīng)用其通用定時(shí)器的輸出比較模式,此項(xiàng)功能是用來(lái)控制一個(gè)輸出波形。輸出四路PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào),VT1、VT4波形相同,VT2、VT3波形相同,電壓峰峰值為2.64V,頻率為25Hz,占空比為25%,相位差180°。PWM輸出....

圖4TLP250驅(qū)動(dòng)電路

TLP250驅(qū)動(dòng)電路如圖4所示,在VCC與VDD間連接一個(gè)0.1μF的陶瓷電容,提供旁路作用以穩(wěn)定線性放大器的工作,將單片機(jī)發(fā)出的2.5V/0V的PWM波放大為15V/-8V的方波。實(shí)測(cè)驅(qū)動(dòng)放大波形如圖5所示。圖5實(shí)測(cè)驅(qū)動(dòng)放大波形

本文編號(hào)：3972815