針對(duì)以電離層模型為參考的電離層重構(gòu)算法對(duì)模型依賴性強(qiáng)、計(jì)算復(fù)雜、適應(yīng)性不強(qiáng)的問題,提出了一種不依賴于參考模型的電離層區(qū)域重構(gòu)算法,其僅依靠區(qū)域內(nèi)的采樣數(shù)據(jù)對(duì)區(qū)域電離層分布進(jìn)行重構(gòu).該算法首先根據(jù)重構(gòu)區(qū)域覆蓋范圍內(nèi)分布的多個(gè)垂測(cè)站實(shí)測(cè)的f_cF₂,構(gòu)造經(jīng)度因子、緯度因子與f_cF₂關(guān)系式,重構(gòu)出區(qū)域內(nèi)任一點(diǎn)的f_cF₂;然后選取一個(gè)垂測(cè)站為基準(zhǔn),構(gòu)造基準(zhǔn)站f_cF₂、f_cF₁與重構(gòu)對(duì)應(yīng)點(diǎn)的f_cF₂擴(kuò)展因子的關(guān)系式,以及重構(gòu)距離點(diǎn)上任一高度上的等離子體頻率與擴(kuò)展因子、基準(zhǔn)站f_cF₁的關(guān)系式,通過該擴(kuò)展因子及關(guān)系式即可得到區(qū)域內(nèi)的電子濃度情況.與均勻電離層假設(shè)下合成的斜測(cè)描跡相比,本文重構(gòu)方法合成的斜測(cè)描跡更接近真實(shí)值,且試驗(yàn)表明其進(jìn)一步提升了電離層重構(gòu)的精度.

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
引 言
1 電離層區(qū)域重構(gòu)新方法
2 重構(gòu)方法驗(yàn)證
3 結(jié) 論



本文編號(hào)：3857394