高密度電法在尋找地下水中的應(yīng)用
發(fā)布時間:2021-08-30 17:20
利用高密度電法溫納裝置,結(jié)合第四系電阻率分布特征,并在有效探測深度范圍內(nèi),研究高密度電法測量溫納裝置對工作區(qū)內(nèi)基巖面起伏情況及完整性的判別效果;最終通過數(shù)據(jù)處理,反演解譯,結(jié)合已有的水文、地質(zhì)等其他方面的資料和附近現(xiàn)有水井的相關(guān)情況,圈定工作區(qū)內(nèi)第四系地下水儲存的有利位置。根據(jù)異常對比解譯、確定目標體范圍、經(jīng)過鉆孔驗證:高密度電法溫納裝置對基巖面的區(qū)分反應(yīng)明顯,對較淺層地下水儲存位置的確定較為準確,為以后需找類似地層地下水起到了一定參考依據(jù)。
【文章來源】:四川地質(zhì)學(xué)報. 2020,40(02)
【文章頁數(shù)】:3 頁
【部分圖文】:
GD00剖面電阻率ρs反演結(jié)果斷面圖
在剖面200~700m處有一相對低阻異常(藍線區(qū)域),此異常上部寬500m,下部寬400m,下延深度超過150m(未見底),異常周圍梯度變化較平緩,異常相對分散,無明顯的異常峰值,整體在300-800Ω·m,結(jié)合第四系分層規(guī)律,此層為砂卵石層。和GD00剖面750~1160m處的相對低阻異常具有相同的特征和成因,為地下水儲存有利部位[3]。此剖面緊鄰正在生產(chǎn)的砂廠南邊,砂廠有正在供水的水井,此水井離本剖面垂直距離150m左右,在剖面的垂直投影為剖面690m處(見圖粉色線條),此井深80m左右,45m見水,日出水量1500m3左右。由圖2,砂廠水井位置靠近儲水有利部位邊緣,水量較大。表明此儲水有利部位,水量足夠,在此區(qū)域打井成功率高。基于上水情況,并考慮到水井的影響半徑,在本剖面的272m(ZK5)和592m(ZK4)處布設(shè)了驗證孔,分別在120m、135m處見到地下水。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]高密度電法在地下水勘查中的成功運用與驗證效果[J]. 黃啟霖,楊武,宋順昌. 有色金屬文摘. 2015(03)
碩士論文
[1]高密度電阻率法反演成像及其應(yīng)用[D]. 劉蕾.成都理工大學(xué) 2003
本文編號:3373195
【文章來源】:四川地質(zhì)學(xué)報. 2020,40(02)
【文章頁數(shù)】:3 頁
【部分圖文】:
GD00剖面電阻率ρs反演結(jié)果斷面圖
在剖面200~700m處有一相對低阻異常(藍線區(qū)域),此異常上部寬500m,下部寬400m,下延深度超過150m(未見底),異常周圍梯度變化較平緩,異常相對分散,無明顯的異常峰值,整體在300-800Ω·m,結(jié)合第四系分層規(guī)律,此層為砂卵石層。和GD00剖面750~1160m處的相對低阻異常具有相同的特征和成因,為地下水儲存有利部位[3]。此剖面緊鄰正在生產(chǎn)的砂廠南邊,砂廠有正在供水的水井,此水井離本剖面垂直距離150m左右,在剖面的垂直投影為剖面690m處(見圖粉色線條),此井深80m左右,45m見水,日出水量1500m3左右。由圖2,砂廠水井位置靠近儲水有利部位邊緣,水量較大。表明此儲水有利部位,水量足夠,在此區(qū)域打井成功率高。基于上水情況,并考慮到水井的影響半徑,在本剖面的272m(ZK5)和592m(ZK4)處布設(shè)了驗證孔,分別在120m、135m處見到地下水。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]高密度電法在地下水勘查中的成功運用與驗證效果[J]. 黃啟霖,楊武,宋順昌. 有色金屬文摘. 2015(03)
碩士論文
[1]高密度電阻率法反演成像及其應(yīng)用[D]. 劉蕾.成都理工大學(xué) 2003
本文編號:3373195
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