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901. Characterization of Interface State Density of Ni/p-GaN Stru
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902. 利用新型圖形化襯底與SiN x 插入層提高GaN外延層晶體質(zhì)量的相關(guān)設(shè)計
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903. n-ZnO納米棒/p-GaN異質(zhì)結(jié)LED光電性能的研究
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904. Effect of gate length on breakdown voltage in AlGaN/GaN high
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905. 晶格匹配InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)Ti/Al/Ni/Au歐姆接觸的溫度依賴特性
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906. 高反射率的Ag基p-GaN歐姆接觸層的形成機(jī)理研究
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907. Recessed-gate quasi-enhancement-mode AlGaN/GaN high electron
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908. 基于二次外延的p型柵GaN基增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管
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909. AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管可靠性與新結(jié)構(gòu)的研究與設(shè)計
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910. 基于條紋狀藍(lán)寶石襯底和硅襯底的GaN基LED的制備及性能研究
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