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821. 復(fù)合吸波劑Ti
C
/
Si
C
誘導(dǎo)微波熱解生物質(zhì)試驗(yàn)研究
822.
Si
C
/
Si
O 2 界面點(diǎn)缺陷特性的第一性原理研究
823. 鋯合金包殼管內(nèi)壁
Si
C
涂層的PE
C
VD制備與性能
824.
Si
C
-IGBT注入增強(qiáng)型新結(jié)構(gòu)的分析與設(shè)計(jì)
825. 基于
Si
3 N 4 /
Si
N x /
Si
3 N 4 三明治結(jié)構(gòu)的偏振無關(guān)1×2多模干涉型解復(fù)用器的設(shè)計(jì)
826. Al-
C
r-RE(RE=Dy,Er)、Ho-Zr-
Si
與Dy-Nb-
Si
三元系等溫截面的研究
827. 基于體驗(yàn)消費(fèi)的餐飲連鎖業(yè)
SI
設(shè)計(jì)研究
828.
Si
含量對
C
r
Si
N涂層結(jié)構(gòu)和性能的影響
829.
Si
對
C
o
C
rAlY涂層抗熱腐蝕性能的影響(英文)
830. 單軸應(yīng)變
Si
NMOSFET模型及模擬技術(shù)研究
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