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751. GaN基半導(dǎo)體材料熱電性質(zhì)的第一性原理計算與研究
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752. 2017年射頻GaN市場打響未來器件之戰(zhàn)哪項技術(shù)會出局
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753. GaN-MOCVD垂直噴淋式反應(yīng)室的優(yōu)化設(shè)計
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754. 采用石墨烯透明電流擴展層提高光子晶體GaN LED性能的研究
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755. 超高導(dǎo)熱金剛石銅復(fù)合材料在GaN器件中的應(yīng)用
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756. GaN納米線光電陰極電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
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757. GaN基長波紫外LED多量子阱結(jié)構(gòu)調(diào)整對光效的影響
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758. 反射式變摻雜負電子親和勢GaN光電陰極量子效率研究
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759. 選擇性橫向外延生長半極性面GaN材料及器件光電性質(zhì)研究
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760. 基于變溫霍爾效應(yīng)方法的一類n-GaN位錯密度的測量
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