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741. Characterization of Interface State Density of Ni/p-GaN Stru
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742. 利用新型圖形化襯底與SiN x 插入層提高GaN外延層晶體質(zhì)量的相關(guān)設(shè)計
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743. 晶格匹配InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)Ti/Al/Ni/Au歐姆接觸的溫度依賴特性
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744. 高反射率的Ag基p-GaN歐姆接觸層的形成機理研究
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745. 基于二次外延的p型柵GaN基增強型高電子遷移率晶體管
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746. SI公司銷售收款環(huán)節(jié)的內(nèi)控研究
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747. 溝槽肖特基器件Si深槽刻蝕工藝
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748. SI發(fā)動機閉環(huán)系統(tǒng)故障檢測
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749. In 2 S 3 /TiO 2 /Si、CdIn 2 S 4 /TiO 2 /Si薄膜的制備及其光電化學(xué)性質(zhì)的研究
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750. Qorvo發(fā)布六款全新更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動器
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