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661. 蘇州納米所在增強(qiáng)型GaN HEMT器件研究方面取得進(jìn)展
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662. 毫米波GaN基HEMT小信號與大信號建模
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663. 載流子分布對GaN基LED頻率特性的影響（英文）
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664. 基于GaN的Ka波段功率放大器設(shè)計(jì)及熱分析
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665. 初始應(yīng)力對垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED光電性能影響的研究
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666. SiC襯底GaN基材料MOCVD生長及HEMT器件研制
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667. 片上傳輸線模型與GaN HEMT小信號模型研究
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668. AlGaN緩沖層結(jié)構(gòu)對Si基GaN材料性能的影響
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669. 單體增強(qiáng)型GaN驅(qū)動電路設(shè)計(jì)及穩(wěn)定性研究
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670. GaN基LED歐姆接觸的第一性原理研究與設(shè)計(jì)
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