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661. 第三代半導體GaN功率開關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)
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662. 應變及摻雜對GaN及InN光電性質(zhì)影響的第一性原理研究
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663. 反應動力學參數(shù)變化對MOVPE生長GaN的反應路徑模擬的影響
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664. 基于GaN晶體管的高頻全橋逆變器波形補償技術(shù)研究
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665. 超薄玻璃襯底上高質(zhì)量ZnO緩沖層與GaN薄膜的低溫生長
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666. 基于GaN的高頻高升壓比改進型SEPIC變換器研究
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667. 基于寬禁帶半導體GaN器件的全固態(tài)射頻電源研究
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668. InGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的側(cè)向外延生長及納米線發(fā)光器件研究
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669. GaN器件大信號模型在MMIC成品率設計中的應用研究
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670. GaN基梯度摻雜超結(jié)電流孔徑垂直電子晶體管結(jié)構(gòu)設計
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