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591. 帶柵場板和新型漏場板的AlGaN/GaN HEMT器件耐壓特性研究
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592. 非極性a面p型AlGaN/GaN超晶格MOCVD生長及特性表征
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593. Simulation study of InAlN/GaN high-electron mobility transis
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594. GaN- 147 Pm型β輻射伏特效應(yīng)核電池的粒子輸運(yùn)研究及優(yōu)化設(shè)計(jì)
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595. A novel enhancement mode AlGaN/GaN high electron mobility tr
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596. Optimization design on breakdown voltage of AlGaN/GaN high-e
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597. 高壓下半導(dǎo)體材料ZrS 2 和GaN的結(jié)構(gòu)演化和電子性質(zhì)調(diào)控研究
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598. 基于再生長歐姆接觸工藝的220 GHz InAlN/GaN場效應(yīng)晶體管（英文）
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599. 基于感光柵極GaN高遷移率晶體管的新型探測器制備與優(yōu)化（英文）
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600. 非極性面AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)各向異性遷移率的理論研究
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