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51. 針對緩沖層改進(jìn)的4H-SiC MESFETs新結(jié)構(gòu)設(shè)計與仿真
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52. 4H-SiC PIN型日盲紫外探測器的研究及制備
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53. 4H-SiC結(jié)勢壘肖特基二極管制備及常溫離子注入研究
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54. 超高壓4H-SiC PiN二極管的設(shè)計及其特性研究
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55. 半絕緣4H-SiC光激發(fā)載流子濃度的Raman光譜研究
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56. 高功率4H-SiC JBS/SBD器件可靠性問題研究
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57. 抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的復(fù)合提高層設(shè)計
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58. 高壓4H-SiC JBS功率整流器的設(shè)計優(yōu)化與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
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59. 晶圓各向異性對4H-SiC基VDMOSFET單粒子效應(yīng)的影響
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60. 埋柵4H-SiC靜電感應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化和特性研究
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