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581. 量子阱結(jié)構(gòu)對含V形坑InGaN/GaN藍(lán)光LED效率衰減的影響
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582. 基于100mm國產(chǎn)SiC襯底高性能AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料
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583. 基于InGaN/GaN量子阱光致晶體管的類腦器件研究
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584. 航天用GaN基640×8元紫外焦平面探測器讀出電路研究與設(shè)計
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585. AlGaN電子阻擋層對Si襯底GaN基綠光LED性能影響的研究
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586. InGaN/GaN發(fā)光二極管的數(shù)學(xué)物理模型和特性及最優(yōu)驅(qū)動電流研究
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587. 氮化鎵（GaN）表面微納米結(jié)構(gòu)在界面改性和光電探測領(lǐng)域中的應(yīng)用
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588. 極性可控的GaN與ZnO薄膜的MOCVD外延生長及其組合發(fā)光器件研究
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589. Si襯底上大功率GaN基LED的外延結(jié)構(gòu)設(shè)計與器件制備
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590. 基于GaN-LED與光柵的集成光波導(dǎo)的設(shè)計與性能分析
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