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531. 不同插入層對抑制Mg摻雜p-GaN的記憶效應(yīng)
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532. 第三代半導(dǎo)體GaN功率開關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)
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533. 圖形化藍(lán)寶石襯底形貌對GaN基LED出光性能的影響
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534. 應(yīng)變及摻雜對GaN及InN光電性質(zhì)影響的第一性原理研究
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535. 反應(yīng)動力學(xué)參數(shù)變化對MOVPE生長GaN的反應(yīng)路徑模擬的影響
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536. GaN基薄膜LED倒裝芯片表面結(jié)構(gòu)設(shè)計及光萃取效率研究
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537. 基于GaN晶體管的高頻全橋逆變器波形補(bǔ)償技術(shù)研究
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538. 超薄玻璃襯底上高質(zhì)量ZnO緩沖層與GaN薄膜的低溫生長
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539. 基于GaN的高頻高升壓比改進(jìn)型SEPIC變換器研究
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540. 基于寬禁帶半導(dǎo)體GaN器件的全固態(tài)射頻電源研究
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