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521. SiC襯底上GaN基藍(lán)光LED的MOCVD外延生長研究
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522. 正交試驗(yàn)法優(yōu)化SiC增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的制備工藝
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523. 交流和脈沖電場作用下SiC與Ti的擴(kuò)散連接及其機(jī)理
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524. 微懸臂梁彎曲法測量3C-SiC薄膜斷裂強(qiáng)度
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525. 一種納米AgCu互連的SiC功率模塊制造工藝和性能研究
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526. 具有新型柵結(jié)構(gòu)的4H-SiC MESFETs設(shè)計及仿真
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527. 高溫氧化對SiC MOS器件柵氧可靠性的影響
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528. 四甲基硅流量對SiC空心微球成分及性能的影響
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529. 電沉積方式對Ni-SiC納米復(fù)合鍍層性能的影響
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530. 納米SiC顆粒增強(qiáng)鋁鎂復(fù)合材料的制備與性能研究
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