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521. 600V增強(qiáng)型GaN HEMT器件研究及設(shè)計
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522. 采用升華法生長GaN納米線的仿真與實驗研究
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523. GaN低維納米材料與器件制備及性質(zhì)研究
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524. GaN寬禁帶器件管芯參數(shù)提取技術(shù)研究
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525. GaN基材料的質(zhì)量和LED光電性能的研究
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526. GaN基通孔垂直結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管失效分析
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527. GaN基垂直功率器件擊穿機(jī)理與新結(jié)構(gòu)研究
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528. 標(biāo)準(zhǔn)氟離子注入實現(xiàn)增強(qiáng)型GaN基功率器件
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529. GaN基凹槽柵MOSFET器件設(shè)計與制備技術(shù)研究
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530. 帶隔離器的GaN HEMT寬帶功率放大器
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