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501.
Si
C
_p增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的制備及性能
502. 高壓4H-
Si
C
BJT功率器件特性研究
503. 基于SPI
C
E模型的
Si
C
MOSFET靜動態(tài)特性分析
504. 高熱導(dǎo)率
Si
C
陶瓷材料制備及應(yīng)用研究
505. 一種基于
SI
C
的NOMA下行鏈路信號檢測方法
506. 改性超細(xì)
Si
C
粉體對球墨鑄鐵低溫韌性的影響
507. 4H-
Si
C
JBS溝槽結(jié)構(gòu)的仿真研究
508. 平面
Si
C
陶瓷切槽--推磨加工技術(shù)可行性研究
509.
Si
C
基反向開關(guān)晶體管RSD關(guān)鍵工藝概述
510. 基于P
C
B羅氏線圈的
Si
C
MOSFET短路保護(hù)研究
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