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481. 影響化學(xué)機械拋光4H導(dǎo)電SiC晶片表面質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù)研究
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482. 超細煤基β-SiC粉體的構(gòu)筑及其結(jié)構(gòu)特性的研究
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483. SiC纖維增強鈦基復(fù)合材料強度分析方法研究
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484. SiC單晶片加工過程中切割力的分析與建模
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485. 基于諧振法的高溫環(huán)境下SiC微尺度楊氏模量測試
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486. 電刷鍍Ni-SiC納米復(fù)合鍍層的制備及表征
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487. S吸附對SiC表面重構(gòu)影響的第一性原理研究
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488. β-SiC納米線光電催化分解水制氫性能及機理研究
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489. 強激光下4H—SiC晶體電子特性的第一性原理研究
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490. SiC襯底GaN基材料MOCVD生長及HEMT器件研制
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