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481. 采用石墨烯透明電流擴(kuò)展層提高光子晶體GaN LED性能的研究
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482. 超高導(dǎo)熱金剛石銅復(fù)合材料在GaN器件中的應(yīng)用
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483. GaN納米線光電陰極電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
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484. GaN基長波紫外LED多量子阱結(jié)構(gòu)調(diào)整對光效的影響
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485. 反射式變摻雜負(fù)電子親和勢GaN光電陰極量子效率研究
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486. 選擇性橫向外延生長半極性面GaN材料及器件光電性質(zhì)研究
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487. 基于變溫霍爾效應(yīng)方法的一類n-GaN位錯密度的測量
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488. 自支撐襯底n-GaN肖特基接觸的電流輸運(yùn)機(jī)制研究
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489. Si襯底上GaN整流器的外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與器件制備
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490. GaN基LED電子阻擋層的第一性原理計(jì)算和設(shè)計(jì)
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