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461. 漏電流對CMOS探測器成像品質(zhì)的影響分析
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462. 一種新型低功耗電流模式CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計
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463. 納米CMOS器件多阱工藝單粒子效應(yīng)機(jī)理研究
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464. CMOS數(shù)字電路ESD保護(hù)電路效應(yīng)建模與機(jī)理研究
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465. CMOS單片集成3D霍爾磁傳感器研究與設(shè)計
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466. 絕熱式漸次充電技術(shù)在CMOS電路中的應(yīng)用
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467. 基于65nm商用CMOS工藝的BTI效應(yīng)研究
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468. CMOS射頻收發(fā)機(jī)中頻率合成器的設(shè)計
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469. CMOS存儲單元電路抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固設(shè)計研究
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470. CMOS毫米波壓控振蕩器的設(shè)計
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