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411. Sialon/SiC陶瓷的制備及抗熱震性研究
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412. 3300V SiC MOSFET器件設(shè)計與新結(jié)構(gòu)研究
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413. 低損耗大功率三電平SiC混合功率模塊研究
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414. 釩補償6H-SiC光導(dǎo)開關(guān)的模擬仿真
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415. 退火以及緩沖層對富碳SiC薄膜性能的影響
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416. SiC晶片雙面和單面拋光相結(jié)合的化學(xué)機械拋光
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417. AlN/SiC結(jié)合碳復(fù)合耐火材料的制備機理
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418. SiC陶瓷單顆�？虅澞チＤp特性仿真及實驗研究
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419. 低溫?zé)Y(jié)SiC陶瓷基復(fù)合材料工藝與性能研究
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420. 石墨烯/AZO/SiC復(fù)合結(jié)構(gòu)的近場輻射換熱特性
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