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341. 微波GaN HEMT功率器件物理基大信號(hào)模型研究
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342. AlGaN/GaN HEMT短溝道效應(yīng)與耐壓新結(jié)構(gòu)探索
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343. AlGaN/GaN HEMT耐壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性仿真研究
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344. 基于GaN芯片的S波段寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)
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345. AlGaN/GaN HEMT器件電學(xué)特性與可靠性研究
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346. 垂直AlGaN/GaN HFETs耐壓機(jī)理與新結(jié)構(gòu)研究
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347. AlGaN/GaN HEMT器件的工藝制備及接觸特性研究
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348. 微納圖形襯底外延高質(zhì)量非極性GaN的研究
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349. 鐵離子輻照GaP和GaN晶體微結(jié)構(gòu)損傷研究
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350. MOCVD脈沖法制備InAlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料特性研究
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