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311. 基于55nm工藝的12位高速低功耗流水線型ADC設(shè)計
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312. 532nm激光催化兩種漂白劑漂白牙齒的實驗研究
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313. 130nm工藝下600MHz SRAM的全定制設(shè)計與實現(xiàn)
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314. 基于65nm CMOS工藝10GHz超前進(jìn)位加法器設(shè)計
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315. 532nm激光對砷化鎵材料及光電陰極的損傷機理研究
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316. 808nm波長鎖定大功率半導(dǎo)體激光器優(yōu)化設(shè)計
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317. 28nm低功耗移動基帶芯片的IR Drop分析與優(yōu)化
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318. 65nm工藝下基于RRAM的非易失性SRAM單元設(shè)計
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319. EVA-BSC業(yè)績評價體系在NM公司的應(yīng)用研究
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320. 基于晶體拉曼放大技術(shù)的單縱模589 nm激光器研究
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