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21. 量子阱結(jié)構(gòu)對(duì)含V形坑InGaN/GaN藍(lán)光LED效率衰減的影響
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22. 基于InGaN/GaN量子阱光致晶體管的類腦器件研究
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23. InGaN/GaN發(fā)光二極管的數(shù)學(xué)物理模型和特性及最優(yōu)驅(qū)動(dòng)電流研究
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24. 利用選擇性外延法生長(zhǎng)單芯片雙波長(zhǎng)白光InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)
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25. InGaN量子點(diǎn)的制備及應(yīng)變調(diào)控
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26. InGaN/AlGaInN量子阱發(fā)光特性的研究
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27. 分子束外延InGaN合金及其光電導(dǎo)行為研究
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28. InGaN太陽(yáng)能電池研制及其輻照效應(yīng)研究
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29. 基于InGaN定向耦合器的光子集成系統(tǒng)
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30. InGaN納米材料的制備及其發(fā)光特性的研究
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