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281. 2~20GHz
GaAs
超寬帶雜譜抑制單片低噪聲放大器
282. 低能質(zhì)子在半導(dǎo)體材料Si和
GaAs
中的非電離能損
283. 強THz場下
GaAs
和InSb中瞬態(tài)谷間散射和碰撞電離(英文)
284. 基于70nm
GaAs
MHEMT工藝的W波段低噪聲放大器
285. 3例糖原貯積癥Ⅱ型患兒的臨床特點及GAA基因突變分析
286. 基于SI-
GaAs
自擊穿樣品產(chǎn)生高壓重頻納秒脈沖的研究
287. InAs/
GaAs
量子點中載流子輸運特性及在光電器件領(lǐng)域的應(yīng)用
288. 大功率
GaAs
基半導(dǎo)體激光器COD監(jiān)控及失效機理研究
289. 基于InAs/
GaAs
量子點-石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)的肖特基光電探測器研究
290. 寬光譜響應(yīng)
GaAs
/石墨烯肖特基結(jié)太陽電池的制備與界面調(diào)控
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