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271. 星際碳化硅SiC塵埃
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272. SiC漿料的流變性能研究
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273. 串聯(lián)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)研究
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274. SiC材料缺陷誘導(dǎo)磁性研究
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275. Ge/SiC界面態(tài)分析
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276. 4H-SiC MOSFETs SiC-SiO 2 界面附近陷阱俘獲和1/f噪聲相關(guān)性研究
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277. 固溶溫度及SiC含量對(duì)粉末冶金SiC/Al-Mg基復(fù)合材料組織與性能的影響
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278. Al-Si合金力學(xué)行為對(duì)Si相形貌敏感性的差異
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279. 先驅(qū)體浸漬-裂解SiC界面改性涂層對(duì)氣相滲硅3D-C f /SiC復(fù)合材料力學(xué)性能的影響
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280. Si含量對(duì)Al-Si-Mg合金鑄造組織與性能的影響
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