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261. GaN基材料的質(zhì)量和LED光電性能的研究
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262. GaN基通孔垂直結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管失效分析
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263. GaN基垂直功率器件擊穿機(jī)理與新結(jié)構(gòu)研究
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264. 標(biāo)準(zhǔn)氟離子注入實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型GaN基功率器件
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265. GaN基凹槽柵MOSFET器件設(shè)計(jì)與制備技術(shù)研究
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266. 帶隔離器的GaN HEMT寬帶功率放大器
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267. GaN薄膜外延過程的動(dòng)力學(xué)蒙特卡洛仿真
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268. 濺射AlN技術(shù)對(duì)GaN基LED性能的影響
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269. GaN基太赫茲耿氏二極管結(jié)構(gòu)及工藝研究
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270. P波段GaN基功率放大器的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
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