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261. Al 0.26 Ga 0.74 As/GaAs（001）表面形貌的熱力學(xué)分析
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262. 碳化硅ICP刻蝕的掩膜材料
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263. 全固態(tài)射頻ICP用高頻電源設(shè)計
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264. 包含布拉格反射器的空間用GaInP/（In）GaAs/Ge三結(jié)太陽電池性能
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265. 高K氧化物絕緣柵GaAs半導(dǎo)體MOS-HEMT器件的數(shù)值模擬研究
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266. 結(jié)合分子束外延和脈沖激光多光束干涉技術(shù)的空間有序InAs/GaAs（001）量子點生長的研究
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267. 摻雜對稱性對(110)晶向生長GaAs/AlGaAs量子阱中電子自旋弛豫動力學(xué)的影響
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268. GaAs及MAPbBr3鈣鈦礦半導(dǎo)體發(fā)光材料在低溫和強磁場下的發(fā)光特性研究
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269. In 0.22 Ga 0.78 As/GaAs量子阱光致發(fā)光譜電子輻照效應(yīng)研究
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270. Spin Dynamics in Ferromagnet/10-nm-Thick N-Type GaAs Quantum
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