為您找到約7,000篇文章，耗時(shí)0.1015秒，數(shù)據(jù)庫總量為386,112,962篇。
-
221. 4H-SiC紫外單光子雪崩光電探測器的制備與表征
-
-
222. 具有均勻肖特基勢壘的Ni基4H-SiC接觸的制備
-
-
223. 4H-SiC溝槽MOS勢壘肖特基功率二極管模擬研究
-
-
224. 超高壓4H-SiC JBS二極管設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)研究
-
-
225. 高性能4H-SiC功率VDMOSFET器件設(shè)計(jì)及關(guān)鍵工藝研究
-
-
226. 高質(zhì)量半絕緣φ150mm 4H-SiC單晶生長研究
-
-
227. 針對緩沖層改進(jìn)的4H-SiC MESFETs新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真
-
-
228. 4H-SiC PIN型日盲紫外探測器的研究及制備
-
-
229. 4H-SiC結(jié)勢壘肖特基二極管制備及常溫離子注入研究
-
-
230. 超高壓4H-SiC PiN二極管的設(shè)計(jì)及其特性研究
-
