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191. SiC材料缺陷誘導磁性研究
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192. Ge/SiC界面態(tài)分析
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193. 4H-SiC MOSFETs SiC-SiO 2 界面附近陷阱俘獲和1/f噪聲相關(guān)性研究
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194. 固溶溫度及SiC含量對粉末冶金SiC/Al-Mg基復合材料組織與性能的影響
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195. 先驅(qū)體浸漬-裂解SiC界面改性涂層對氣相滲硅3D-C f /SiC復合材料力學性能的影響
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196. SiC晶片加工技術(shù)現(xiàn)狀與趨勢
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197. 微波合成SiC晶體的工藝研究
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198. 微波熔鹽法制備SiC改性石墨
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199. SiC功率MOSFET器件研制進展
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200. 液相誘導微波合成SiC工藝研究
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