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191. 強(qiáng)THz場(chǎng)下GaAs和InSb中瞬態(tài)谷間散射和碰撞電離（英文）
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192. 基于70nm GaAs MHEMT工藝的W波段低噪聲放大器
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193. 3例糖原貯積癥Ⅱ型患兒的臨床特點(diǎn)及GAA基因突變分析
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194. 基于SI-GaAs自擊穿樣品產(chǎn)生高壓重頻納秒脈沖的研究
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195. InAs/GaAs量子點(diǎn)中載流子輸運(yùn)特性及在光電器件領(lǐng)域的應(yīng)用
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196. 大功率GaAs基半導(dǎo)體激光器COD監(jiān)控及失效機(jī)理研究
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197. 基于InAs/GaAs量子點(diǎn)-石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)的肖特基光電探測(cè)器研究
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198. 寬光譜響應(yīng)GaAs/石墨烯肖特基結(jié)太陽(yáng)電池的制備與界面調(diào)控
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199. 飛秒激光制備GaAs太陽(yáng)能電池吸收層表面微結(jié)構(gòu)及其抗反射性能研究
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200. 表面鈍化效應(yīng)對(duì)GaAs納米線(xiàn)電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)影響的第一性原理研究
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