發(fā)布時間：2020-08-03 11:40

【摘要】：近幾年的研究發(fā)現(xiàn)由擴展青霉(Penicillium expansum)引起的柑橘病害日益嚴重,且P.expansum在侵染宿主過程中會產(chǎn)生展青霉素(Patulin,PAT)以及桔霉素(Citrinin,CIT)等嚴重危害人類健康的真菌毒素。目前對于柑橘采后病原菌侵染機制的研究主要以指狀青霉(Penicillium digitatum)和意大利青霉(Penicillium italicum)為主,而對P.expansum侵染柑橘的條件、致病機制等方面的研究還未見相關文獻報道。為此,本論文從P.expansum和柑橘的互作角度出發(fā),探討P.expansum侵染柑橘的致病機制,旨在為柑橘采后病害的防治提供必要的理論依據(jù)。論文的主要研究成果如下:(1)從腐爛柑橘傷口處篩選到一株致病菌H1,經(jīng)ITS區(qū)、BenA、CaM、PRB2序列分析和形態(tài)學鑒定,確定為擴展青霉(P.expansum)。利用高效液相色譜檢測發(fā)現(xiàn)其能夠產(chǎn)生CIT。(2)研究了不同溫度、保濕時間和菌齡對P.expansum H1侵染柑橘的影響,結果表明,P.expansum H1在25°C時潛育期最短,侵染能力最強,4°C時P.expansum H1侵染能力受到抑制;保濕時間越長,越有利于P.expansum H1侵染柑橘;菌齡也會影響P.expansum H1侵染柑橘,不同菌齡的P.expansum H1侵染能力高低排序為:培養(yǎng)7 d培養(yǎng)11d培養(yǎng)3 d培養(yǎng)15 d培養(yǎng)19 d。(3)從細胞壁降解酶和毒素CIT兩個方面出發(fā),研究P.expansum H1侵染柑橘的致病機理。結果表明,P.expansum H1在改良的Marcus培養(yǎng)基和柑橘體內均可產(chǎn)生多聚半乳糖醛酸酶(polygalacturonase,PG)、果膠甲基半乳糖醛酸酶(pectin methylgalacturonase,PMG)、內切β-1,4-葡聚糖酶(endo-1,4-β-D-glucanase,Cx)和β-葡萄糖苷酶(β-glucosidase,β-G),酶活性的高低排序皆為PGPMGCxβ-G;將CIT接種到柑橘上會引起傷口處軟塌腐爛,同時接種CIT和P.expansum H1的柑橘腐爛程度高于只接種P.expansum H1。此外,研究了不同培養(yǎng)基、溫度、pH、溶氧量和培養(yǎng)時間對P.expansum H1生長和產(chǎn)CIT能力的影響,發(fā)現(xiàn)在25°C,pH為3的YSM培養(yǎng)基上搖床培養(yǎng)2周時,P.expansum H1產(chǎn)生的CIT含量最高。(4)利用轉錄組技術,比較分析了P.expansum H1侵染柑橘后基因的表達情況,結果顯示,共鑒定出差異表達基因230個,其中上調基因178個占77.4%,下調基因52個占22.6%。從中挑選出9個上調基因進行RT-qPCR驗證,其中,有4個基因與細胞壁降解酶相關、1個基因與CIT的產(chǎn)生相關、1個基因與宿主pH的改變相關、2個基因與抗氧化應激反應相關、1個基因與效應因子相關。驗證結果與轉錄組結果一致。
【學位授予單位】：江蘇大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2018
【分類號】：S436.66
【圖文】：

2.1 培養(yǎng) 3 d 的菌株 H1 在 PDA 平板上的菌落形態(tài)（A-正面；B-反colony morphology of strain H1 cultured for 3 d on PDA plate (A-the oreverse side) 2.2 培養(yǎng) 7 d 的菌株 H1 在 PDA 平板上的菌落形態(tài)（A:正面；B:反lony morphology of strain H1 cultured 7 d on PDA plate (A-the obverseA B

2.2 培養(yǎng) 7 d 的菌株 H1 在 PDA 平板上的菌落形態(tài)（A:正面；B:反ny morphology of strain H1 cultured 7 d on PDA plate (A-the obverse 圖 2.3 菌株 H1 在柑橘上的生長狀態(tài)及顯微狀態(tài) growth morphology of the strain H1 on citrus and micro-morphology 的分子生物學鑒定A B

2.1 培養(yǎng) 3 d 的菌株 H1 在 PDA 平板上的菌落形態(tài)（A-正面；B-反olony morphology of strain H1 cultured for 3 d on PDA plate (A-the obreverse side) 2.2 培養(yǎng) 7 d 的菌株 H1 在 PDA 平板上的菌落形態(tài)（A:正面；B:反ny morphology of strain H1 cultured 7 d on PDA plate (A-the obverse sA BA B

【參考文獻】

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本文編號：2779574