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PbS@MS 2 (M=Mo,W)氣體傳感器的制作及其性能研究

發(fā)布時間:2021-03-30 18:08
  隨著工業(yè)和技術的飛速發(fā)展,氣體傳感器廣泛應用于人工智能、環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)療設備等領域。因此,探求一種高性能、低功耗、低成本的氣體傳感器具有重要意義。本文中,我們采用水熱法結合化學沉淀法制備了MoS2、PbS@MoS2、PbS@WS2等材料,并對其晶體結構、微觀形貌、材料組分和表面化學態(tài)進行了表征。制作了氣體傳感器以研究氣體傳感器的敏感機制。主要研究內容如下:1.通過水熱法合成了MoS2納米花,制作了氣體傳感器并測試其氣敏性能。結果表明:MoS2氣體傳感器呈現(xiàn)出在5-50 ppm NO2范圍的負響應(N型響應),在100-400 ppm NO2范圍的正響應(P型響應)。導致N-P躍遷的可能原因是:NO2和O2從MoS2表面捕獲電子使得電子濃度減少,從而影響了MoS2的載流子類型。此外,MoS2傳感器在室溫下具有較快的響應恢復速度,但... 

【文章來源】:湘潭大學湖南省

【文章頁數(shù)】:62 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

PbS@MS 2 (M=Mo,W)氣體傳感器的制作及其性能研究


氣體傳感器的分類(1)半導體氣體傳感器:包括電導型和非電導型

響應曲線,響應曲線,納米結構,恢復時間


(a) 在 300°C 下,對 CeO2、SnO2、CeO2-SnO2納米結構對不同濃度 H2的 CeO2-SnO2傳感器在不同濃度、不同溫度下隨時間的響應曲線 (c-d) 在300CeO2-SnO2對 H2的響應及恢復時間[8]

響應曲線,納米結構,恢復時間,響應曲線


1.3 (a) 在 300°C 下,對 CeO2、SnO2、CeO2-SnO2納米結構對不同濃度 H2的響應 (b) CeO2-SnO2傳感器在不同濃度、不同溫度下隨時間的響應曲線 (c-d) 在300℃時CeO2-SnO2對 H2的響應及恢復時間[8]

【參考文獻】:
期刊論文
[1]片狀納米MoS2的制備及其在油潤滑中的減摩抗磨性能研究[J]. 梅堂杰,郭俊德,李月,劉奇,董光能.  表面技術. 2018(08)
[2]氣體傳感器的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢[J]. 馬須敬,徐磊.  傳感器與微系統(tǒng). 2018(05)
[3]金屬氧化物異質結氣體傳感器氣敏增強機理[J]. 唐偉,王兢.  物理化學學報. 2016(05)

碩士論文
[1]WO3納米材料的制備、表征及性能研究[D]. 張會利.天津理工大學 2014
[2]花狀ZnO納米管團簇的制備及其氣敏性能研究[D]. 張小秋.上海交通大學 2014



本文編號:3109924

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