四氧化三錫是一種混合價態(tài)的錫氧化物,屬于n型無機半導體納米材料,具有熱力學穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu),對可見光有一定的吸收,具有優(yōu)異的光電性能,被廣泛應用于光催化等領域,但關(guān)于四氧化三錫在電化學和光電化學傳感器中的應用幾乎沒有。分子印跡電化學和光電化學傳感器具有選擇性高、穩(wěn)定性好、背景信號低和靈敏度高等優(yōu)點。目前針對食品安全檢測的技術(shù)存在儀器成本高,結(jié)構(gòu)復雜,預處理過程繁瑣,操作耗時等問題。因此,研究一種能夠快速、準確而又靈敏的對食品中農(nóng)藥、抗生素等殘留進行檢測的技術(shù)非常重要。因此,本論文以四氧化三錫基半導體納米材料作為光/電活性材料,分子印跡作為傳感識別策略,構(gòu)建了用于甲硝羥乙唑和2,4-二氯苯氧乙酸檢測的分子印跡電化學和光化學傳感器,研究了其在食品安全檢測中的應用。第一部分基于Sn3O4納米片的甲硝羥乙唑分子印跡電化學傳感器的構(gòu)建及應用通過一步溶劑熱反應合成Sn3O4納米片,以甲硝羥乙唑為模板分子,吡咯為功能單體,垂直交聯(lián)的二維Sn3O4納米片為載體,采用化學氧化法在其表面制備了一層分子印跡聚吡咯薄膜（MIPPy）。利用掃描電鏡、X射線衍射、X射線光電子能譜和紅外光譜對制備的MIPPy/Sn3... 

【文章來源】：揚州大學江蘇省

【文章頁數(shù)】：91 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

一半膚氨酸在PT川TIOZ/】刃，O電極上的光電氧化過程「3vl

＇?＾?Ｔ：ｎ?？ＵｂｔＶＪＨ０Ｍ０??圖１．２?Ｌ半胱氨酸在ＰＴＨ／Ｔｉ０２／ＦＴ０電極ｈ的光電氧化過程??（２）與無機光電材料進行復合??Ｚｈａｎｇ等人通過對退火后的Ｔｉ０２納米管陣列簡單陰極極化后，化學沉積ＣｄＳ納米??粒ＪＶ制谷ＣｄＳ／Ｒ－Ｔｉ０２?ＮＴｓ電極。ＣｄＳ的＃在顯著縮小了?Ｒ－ＴｉＣｈ的帶隙寬度，增強了?Ｒ－Ｔｉ０２??的導電性，使得Ｍ合后ＣｄＳ／Ｒ－Ｔｉ０２?ＮＴｓ屯極的吸收波長范圍拓寬，對可阽光燈？定的吸收。??同時，�。。埃布{米管陣列在陰極極化過程屮，品格氧空位（Ｔｉ３＋）的存在引起電子數(shù)的增加，從??而增強／電荷傳輸，增大ｒ光電轉(zhuǎn)換效率。??Ｒ．Ａｔｃｈｕｄａｎ等人通過簡單的熱氧化法合成鋱化鋅納米顆粒，將其￣氣化石墨烯復??合，采用簡單的一步溶劑熱反應，成功制備了氧化鋅納米顆粒修飾的氧化石墨節(jié)（ＺｎＯ＠ＧＯ）??納米復合材料。ＺｎＯ＠ＧＯ納米復合材料電子和空穴的復合得到了有效地抑制

分子印跡聚合物（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ?Ｉｍｐｒｉｎｔｅｄ?Ｐｏｌｙｍｅｒ，?ＭＩＰ），是指可以通過不同的分子印跡技??術(shù)（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ?Ｉｍｐｒｉｎｔｅｄ?Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，?ＭＩＴ）制備的聚合物，也可稱為“人造抗體”，具有模擬生??物受體特異性識別的特性［７４１。如圖１．５所示，不同分子印跡技術(shù)制備分子印跡聚合物的過??

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2968291