聲表面波（SAW）傳感器因其無(wú)線無(wú)源等特點(diǎn)而被廣泛地應(yīng)用在某些惡劣的密閉環(huán)境中。但是,在航空航天等特種領(lǐng)域中,相關(guān)SAW傳感器往往需要工作在特別高的溫度下,這也就對(duì)SAW傳感器在高溫下的穩(wěn)定性提出了要求。目前為止,成熟的SAW傳感器一般能夠承受500℃⁶00℃的高溫環(huán)境,還遠(yuǎn)遠(yuǎn)未能達(dá)到要求。本文采用脈沖激光沉積（PLD）與激光分子束外延（LMBE）技術(shù)在硅酸鎵鑭（LGS）壓電襯底上沉積了基于Pt的多種復(fù)合電極薄膜。通過(guò)測(cè)試不同電極薄膜的導(dǎo)電性隨高溫處理的變化關(guān)系以及高溫處理前后電極的微觀結(jié)構(gòu)變化,分析了其高溫下電阻變化的機(jī)制,并最終得出了抑制Pt電極在高溫下失效的方法,研究結(jié)果為SAW器件乃至所有微型電子元器件在極端高溫條件下的應(yīng)用提供了一定的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)與理論依據(jù)。本論文的主要工作包含以下內(nèi)容:1.采用PLD技術(shù),在不同溫度條件下制備了Pt電極,系統(tǒng)地研究了Pt的沉積溫度對(duì)Pt在高溫下的導(dǎo)電穩(wěn)定性的影響。結(jié)果表明,Pt電極的失效是由于Pt的結(jié)塊所導(dǎo)致的,并且更高的沉積溫度會(huì)使得制備的Pt電極在高溫下具有更強(qiáng)的導(dǎo)電穩(wěn)定性。600℃條件下制備的Pt電極在從室溫升至100... 

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

聲表面波器件結(jié)構(gòu)示意圖

圖 1-1 聲表面波器件結(jié)構(gòu)示意圖面波器件的重要組成部分，它起著將電也作為聲表面波傳播的媒介。其主要的性系數(shù)、傳播損耗、溫度系數(shù)等，而常用的壓電單晶材料。其中，壓電單晶材料具有到國(guó)內(nèi)外聲表面波器件研究者們的廣泛hite 和 Voltmer 發(fā)明了一種能夠高效激勵(lì)terdigitalTransducer，IDT）后，聲表面波年的發(fā)展，叉指換能器已經(jīng)成為了聲表面圖 1-2 所示。

圖 1-3 不同溫度下的 SAW 延遲線性能對(duì)比[3]經(jīng)介紹了聲表面波器件的主要結(jié)構(gòu)包括壓電材料高溫環(huán)境下的 SAW 器件性能衰減乃至失效也需要個(gè)方面來(lái)討論。而言，最核心的性質(zhì)就是它的壓電性能，壓電性能工作。一般的壓電材料都存在一個(gè)特有的相轉(zhuǎn)變溫這個(gè)相轉(zhuǎn)變溫度時(shí)，其壓電性能被破壞，導(dǎo)致所制SiO2）作為一種天然的壓電材料晶體，具有十分穩(wěn)（1750 ℃），早在二十世紀(jì) 20 年代就開(kāi)始被用作但是它的居里溫度（Tc）較低，僅為 573 ℃，意體將失去它的壓電性能，從而使得聲表面波器材料最大的優(yōu)勢(shì)是它具有很高的溫度穩(wěn)定性，自aO3單晶生長(zhǎng)技術(shù)后，LiTaO3壓電單晶材料也開(kāi)始泛地研究。但是與石英晶體壓電材料一樣，LiTa

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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本文編號(hào)：2903254